[发明专利]一种LAP激光镭雕方法

说明书

本发明公开了一种LAP激光镭雕方法，包括如下步骤，S1、在塑胶基材上激光镭雕出电路走线槽，对电路走线槽的成型深度进行监测；S2、在塑胶基材上的电路走线槽内化镀金属层，对金属层的成型厚度进行检测；S3、将测得的电路走线槽的成型深度与测得的金属层的成型厚度进行数据对比，根据对比结果，对镭雕参数进行调整，使金属层的厚度值与电路走线槽的深度值一致；对塑胶基材上镭雕出的电路走线槽的深度以及电路走线槽内化镀成型的金属层的厚度进行监测与对比，根据对比结果对镭雕参数进行调整，以使金属层的厚度值与电路走线槽的深度值一致，从而确保金属层化镀至塑胶基材上后，塑胶基材表面与金属层表面平齐，利于生产良率的提升。

技术领域

本发明涉及天线技术领域，尤其涉及一种LAP激光镭雕方法。

背景技术

随着电子产品的广泛应用，除了功能及性能的要求外，外观要求也越来越高，为了将电子产品厚度或尺寸做到最小，在不影响功能和外观的前提下，引入了LAP(LaserPctivating Plating)技术。

LAP(Laser Pctivating Plating)技术是一种以激光诱导普通塑料基材后选择性金属镀的技术，能够在任意成型面上制作具有电气功能的电器及互联器件，因此在天线制造中具有显著优势。

请结合图1和图2，现有的LAP工艺的步骤依次包括：使塑胶基材1成型、镭雕(在塑胶基材1上形成电路走线槽11)、化镀(在电路走线槽11内形成金属层2)、喷涂底漆、打磨和面涂UV，在上述LAP工艺过程中，仅仅通过检测化镀的金属层2厚度是否符合标准来判断产品的工艺质量是否合格，在此过程中，因镭雕参数的不同对于化镀的金属层2的厚度影响甚微，因此对于镭雕参数并未进行把控，但镭雕参数不同会产生电路走线槽11深度的差异，并且一般的塑胶基材1成型后都会存在一定的平整度误差，保持相同的镭雕参数对塑胶基材1进行镭雕时，难免会出现电路走线槽11深度不均匀的现象(如图1所示)，如此，则会导致化镀的金属层2表面与塑胶基材1表面出现不均匀的阶差(如图2所示)，导致无法对后续的喷涂工序和打磨工序进行管控，容易出现喷涂后塑胶基材1表面凹凸不平以及打磨量过大或过小的缺陷，严重影响产品良率以及产品的一致性。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提供一种产品良率高的LAP激光镭雕方法。

为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：一种LAP激光镭雕方法，包括如下步骤，

S1、在塑胶基材上激光镭雕出电路走线槽，对所述电路走线槽的成型深度进行监测；

S2、在所述塑胶基材上的所述电路走线槽内化镀金属层，对所述金属层的成型厚度进行检测；

S3、将测得的所述电路走线槽的成型深度与测得的所述金属层的成型厚度进行数据对比，根据对比结果，对镭雕参数进行调整，使所述金属层的厚度值与所述电路走线槽的深度值一致。

本发明的有益效果在于：本发明提供的LAP激光镭雕方法具有产品良率高和产品一致性好的特点，分别对塑胶基材上镭雕出的电路走线槽的深度以及电路走线槽内化镀成型的金属层的厚度进行监测，并将监测得到的数据进行对比，根据对比结果对镭雕参数进行调整，以使金属层的厚度值与电路走线槽的深度值一致，从而确保金属层化镀至塑胶基材上后，塑胶基材表面与金属层表面平齐，以便于对后续的喷涂工序和打磨工序进行管控，利于生产良率的提升。

附图说明

图1为现有技术中的塑胶基材上形成电路走线槽后的简化结构示意图；

图2为现有技术中的塑胶基材上化镀后的简化结构示意图；

图3为本发明实施例一的LAP激光镭雕方法的流程图；

图4为本发明实施例一中采用LAP激光镭雕方法在塑胶基材上形成的电路走线槽的简化结构示意图。