[发明专利]像素驱动电路及显示面板在审
申请号: | 202011549880.X | 申请日: | 2020-12-24 |
公开(公告)号: | CN112562588A | 公开(公告)日: | 2021-03-26 |
发明(设计)人: | 王选芸;戴超;吴剑龙 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | G09G3/3208 | 分类号: | G09G3/3208;G09G3/3266 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 刘泳麟 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 驱动 电路 显示 面板 | ||
1.一种像素驱动电路,其特征在于,包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一电容、第二电容及有机发光二极管;所述第二晶体管为低温多晶硅晶体管;
所述第一晶体管的栅极连接第一节点,其源极连接第二节点,其漏极连接第三节点;
所述第二晶体管的栅极接入第一扫描信号,其源极接入数据信号,其漏极连接所述第二节点;
所述第三晶体管的栅极接入使能信号,其源极接入第一电源信号,其漏极连接所述第二节点;
所述第四晶体管的栅极接入所述使能信号,其源极连接所述第三节点,其漏极连接所述有机发光二极管的阳极;
所述第一电容的一端接入所述第一电源信号,其另一端连接所述第一节点;
所述第二电容的一端连接所述第二晶体管的栅极,其另一端连接所述第一节点;
所述有机发光二极管的阳极连接所述第三节点,所述有机发光二极管的阴极接入第二电源信号。
2.如权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,所述第一晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管为低温多晶硅晶体管。
3.如权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,还包括第五晶体管;所述第五晶体管的栅极接入所述第一扫描信号,其第一电极连接所述第一节点,其第二电极连接所述第三节点;所述第五晶体管为氧化物半导体晶体管或低温多晶硅晶体管;当所述第五晶体管为p型晶体管时,所述第一电极为源极,所述第二电极为漏极;当所述第五晶体管为n型晶体管时,所述第一电极为漏极,所述第二电极为源极。
4.如权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,还包括第八晶体管以及第五晶体管;
所述第八晶体管的栅极接入所述第一扫描信号,其源极连接所述第一节点;所述第八晶体管为氧化物半导体晶体管;
所述第五晶体管的栅极接入所述第一扫描信号,其第一电极连接所述第一节点,其第二电极连接所述第三节点;所述第五晶体管为氧化物半导体晶体管或低温多晶硅晶体管;当所述第五晶体管为p型晶体管时,所述第五晶体管的第一电极为源极,所述第五晶体管的第二电极为漏极;当所述第五晶体管为n型晶体管时,所述第五晶体管的第一电极为漏极,所述第五晶体管的第二电极为源极。
5.如权利要求3或4所述的像素驱动电路,其特征在于,还包括第六晶体管;所述第六晶体管的栅极接入第二扫描信号,其第一电极连接所述第五晶体管的第一电极;所述第六晶体管为氧化物半导体晶体管或低温多晶硅晶体管。
6.如权利要求5所述的像素驱动电路,其特征在于,所述第六晶体管的第二电极接入一参考电压,或者连接所述有机发光二极管的阳极;当所述第六晶体管为p型晶体管时,所述第六晶体管的第一电极为源极,所述第六晶体管的第二电极为漏极;当所述第六晶体管为n型晶体管时,所述第六晶体管的第一电极为漏极,所述第六晶体管的第二电极为源极。
7.如权利要求5所述的像素驱动电路,其特征在于,还包括第七晶体管;所述第七晶体管的栅极接入所述第一扫描信号,其源极接入一参考电压,其漏极连接所述有机发光二极管的阳极;所述第七晶体管为氧化物半导体晶体管或低温多晶硅晶体管。
8.如权利要求5所述的像素驱动电路,其特征在于,还包括第七晶体管;所述第七晶体管的栅极接入使能信号,其源极接入一参考电压,其漏极连接所述有机发光二极管的阳极;所述第七晶体管为氧化物半导体晶体管或低温多晶硅晶体管。
9.如权利要求5所述的像素驱动电路,其特征在于,还包括第七晶体管;所述第七晶体管的栅极接入所述第二扫描信号,其源极连接所述第三节点,其漏极连接所述有机发光二极管的阳极;所述第七晶体管为氧化物半导体晶体管或低温多晶硅晶体管。
10.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1-9中任一项所述的像素驱动电路。
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