[发明专利]像素驱动电路及显示面板在审
申请号: | 202011549880.X | 申请日: | 2020-12-24 |
公开(公告)号: | CN112562588A | 公开(公告)日: | 2021-03-26 |
发明(设计)人: | 王选芸;戴超;吴剑龙 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | G09G3/3208 | 分类号: | G09G3/3208;G09G3/3266 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 刘泳麟 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 驱动 电路 显示 面板 | ||
本发明提供一种像素驱动电路及显示面板。像素驱动电路包括第一晶体管、第二晶体管、第一电容、第二电容及有机发光二极管;第二晶体管为低温多晶硅晶体管;第一晶体管的栅极连接第一节点,源极连接第二节点,漏极连接第三节点;第二晶体管的栅极接入第一扫描信号,源极接入数据信号,漏极连接第二节点;第一电容的一端接入第一电源信号,另一端连接第一节点;第二电容的一端连接第二晶体管的栅极,另一端连接第一节点。本发明能够改善显示面板的漏电流较大造成画面闪烁的现象,利于提升亮度均匀性。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种像素驱动电路及显示面板。
背景技术
随着多媒体的发展,显示装置变得越来越重要。相应地,对各种类型的显示装置的要求越来越高,尤其是智能手机领域,超高频驱动显示,低功耗驱动显示,以及低频驱动显示都是现阶段和未来的发展需求方向。
P型沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOS)广泛用作显示装置的晶体管,手机领域广泛应用低温多晶硅(LTPS)。然而,低温多晶硅(LTPS)存在一个致命弱点就是漏电流较大,尤其是在低频显示时闪烁严重;而金属氧化物晶体管(oxide)正好可以弥补低温多晶硅(LTPS)的不足,将二者结合充分利用其各自的优点,完美的适应未来显示的高标准需求。
同时,如图1所示,目前显示面板像素电路普遍采用7T1C结构,该电路补偿阈值电压Vth的效果较差,会出现阈值电压Vth偏负,数据电压难以稳定存储于存储电容中,数据信号会逐渐丢失,宏观上造成画面闪烁现象,产品品质受到影响。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种像素驱动电路及显示面板以解决显示面板的漏电流较大造成画面闪烁,以及阈值电压Vth补偿效果差导致数据信号损失严重造成画面闪烁的技术问题。
为实现上述目的,本发明提供一种像素驱动电路,包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第一电容Cst、第二电容Cboost及有机发光二极管D1;所述第二晶体管为低温多晶硅晶体管;所述第一晶体管T1的栅极连接第一节点Q点,其源极连接第二节点P点,其漏极连接第三节点B点;所述第二晶体管T2的栅极接入第一扫描信号Scan(n),其源极接入数据信号Data,其漏极连接所述第二节点P点;所述第三晶体管T3的栅极接入使能信号,其源极接入第一电源信号,其漏极连接所述第二节点;所述第四晶体管的栅极接入所述使能信号,其源极连接所述第三节点,其漏极连接所述有机发光二极管的阳极;所述第一电容Cst的一端接入所述第一电源信号ELVDD,其另一端连接所述第一节点Q点;所述第二电容Cboost的一端连接所述第二晶体管T2的栅极,其另一端连接所述第一节点Q点;所述有机发光二极管D1的阳极连接所述第三节点B点,所述有机发光二极管D1的阴极接入第二电源信号ELVSS。
进一步地,所述第一晶体管T1、所述第三晶体管T3、所述第四晶体管T4为低温多晶硅晶体管。
进一步地,所述像素驱动电路还包括第五晶体管T5;所述第五晶体管T5的栅极接入所述第一扫描信号Scan(n),其第一电极连接所述第一节点Q点,其第二电极连接所述第三节点B点;所述第五晶体管为氧化物半导体晶体管或低温多晶硅晶体管;当所述第五晶体管T5为p型晶体管时,所述第五晶体管T5的第一电极为源极,所述第五晶体管T5的第二电极为漏极;当所述第五晶体管T5为n型晶体管时,所述第五晶体管T5的第一电极为漏极,所述第五晶体管T5的第二电极为源极。
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