[发明专利]一种晶体生长装置在审
| 申请号： | 202011551595.1 | 申请日： | 2020-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN112760712A | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 陈华荣;张洁;廖弘基;陈泽斌;李金榕 | 申请（专利权）人： | 湖南三安半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 杨鹏 |
| 地址： | 410000 湖南省长沙市高新开发*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶体生长 装置 | ||
1.一种晶体生长装置，其特征在于，包括：坩埚体、坩埚盖及隔板组件，所述坩埚盖与所述坩埚体连接并形成生长腔，所述隔板组件设置于所述生产腔内，并将所述生长腔分隔成原料腔及晶体腔，所述原料腔用于容置原料，所述晶体腔用于收集所述原料升华后形成的晶体，所述隔板组件上设置有连接槽，所述连接槽连通所述原料腔及所述晶体腔。
2.根据权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述隔板组件包括安装架及隔板件，所述安装架环设在所述隔板件上，所述安装架与所述坩埚体连接，所述连接槽设置在所述隔板件上。
3.根据权利要求2所述的晶体生长装置，其特征在于，所述隔板件包括多个，多个所述隔板件依次设置在所述安装架上，多个所述隔板件的所述连接槽错位设置。
4.根据权利要求3所述的晶体生长装置，其特征在于，所述隔板件包括隔板及支撑部，所述支撑部设置在所述隔板上，所述连接槽设置在所述隔板上，所述支撑部与相邻的所述隔板件的所述隔板选择性地抵持。
5.根据权利要求3所述的晶体生长装置，其特征在于，所述隔板件上设置有连接孔，多个所述隔板件的所述连接孔同心设置。
6.根据权利要求5所述的晶体生长装置，其特征在于，所述连接孔的直径为10mm～25mm。
7.根据权利要求2所述的晶体生长装置，其特征在于，所述隔板件包括金属层及石墨层，所述金属层包覆于所述石墨层。
8.根据权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述连接槽的长度为20mm～80mm。
9.根据权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述连接槽的宽度为5mm～20mm。
10.根据权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述坩埚盖朝向所述坩埚体的一侧设置有籽晶层。
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