[发明专利]一种晶体生长装置

说明书

本发明的实施例提供了一种晶体生长装置，涉及半导体技术领域。晶体生长装置包括坩埚体、坩埚盖及隔板组件，坩埚盖与坩埚体连接并形成生长腔，隔板组件设置于生产腔内，并将生长腔分隔成原料腔及晶体腔，原料腔用于容置原料，晶体腔用于收集原料升华后形成的晶体，隔板组件上设置有连接槽，连接槽连通原料腔及晶体腔。在碳化硅升华的过程中，碳化硅原料碳化完细小杂质颗粒会随着碳化硅晶体的生长气氛沿着升华纹路向靠近晶体腔运动，设置在原料腔与晶体腔之间的隔板组件能够对杂质颗粒进行阻挡，阻止杂质颗粒进入到晶体腔内，避免杂质颗粒附着在碳化硅晶体表面，污染碳化硅晶体，从而提高了碳化硅晶体的纯度，保证碳化硅晶体的性能。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种晶体生长装置。

背景技术

在碳化硅晶体生长过程中，虽然原料为颗粒的碳化硅，但随着生长的进行，生长室内气相蒸气压下降，原料中的硅成分首先升华，然后部分碳也升华，原料细小化及碳化，碳化的细颗粒有可能在生长室内气相气氛的对流作用下带到生长界面，从而在晶体中开始产生包裹物。但由于此时生长刚开始不久，原料刚开始石墨化，石墨颗粒较少，此时包裹物的密度较低。随着生长的进一步进行，原料石墨化严重，大量的石墨颗粒产生，这些细小的石墨颗粒很容易被升华的气流及气相蒸汽的对流带动晶体生长表面，从而形成包裹物及包裹物衍生出微管，严重影响碳化硅晶体的性能。

发明内容

本发明的目的在于提供了一种晶体生长装置，其能够对杂质颗粒进行阻挡，阻止杂质颗粒进入到晶体腔内，避免杂质颗粒附着在碳化硅晶体表面，污染碳化硅晶体，从而提高了碳化硅晶体的纯度，保证碳化硅晶体的性能。

本发明的实施例可以这样实现：

本发明实施例提供了一种晶体生长装置，所述晶体生长装置包括：坩埚体、坩埚盖及隔板组件，所述坩埚盖与所述坩埚体连接并形成生长腔，所述隔板组件设置于所述生产腔内，并将所述生长腔分隔成原料腔及晶体腔，所述原料腔用于容置原料，所述晶体腔用于收集所述原料升华后形成的晶体，所述隔板组件上设置有连接槽，所述连接槽连通所述原料腔及所述晶体腔。

在本发明可选的实施例中，所述隔板组件包括安装架及隔板件，所述安装架环设在所述隔板件上，所述安装架与所述坩埚体连接，所述连接槽设置在所述隔板件上。

在本发明可选的实施例中，所述隔板件包括多个，多个所述隔板件依次设置在所述安装架上，多个所述隔板件的所述连接槽错位设置。

在本发明可选的实施例中，所述隔板件包括隔板及支撑部，所述支撑部设置在所述隔板上，所述连接槽设置在所述隔板上，所述支撑部与相邻的所述隔板件的所述隔板选择性地抵持。

在本发明可选的实施例中，所述隔板件上设置有连接孔，多个所述隔板件的所述连接孔同心设置。

在本发明可选的实施例中，所述连接孔的直径为10mm～25mm。

在本发明可选的实施例中，所述连接槽的长度为20mm～80mm。

在本发明可选的实施例中，所述连接槽的宽度为5mm～20mm。

在本发明可选的实施例中，所述隔板件包括金属层及石墨层，所述金属层包覆于所述石墨层。

在本发明可选的实施例中，所述坩埚盖朝向所述坩埚体的一侧设置有籽晶层。

本发明实施例的有益效果：晶体生长装置包括坩埚体、坩埚盖及隔板组件，坩埚盖与坩埚体连接并形成生长腔，隔板组件设置于生产腔内，并将生长腔分隔成原料腔及晶体腔，原料腔用于容置原料，晶体腔用于收集原料升华后形成的晶体，隔板组件上设置有连接槽，连接槽连通原料腔及晶体腔。