[发明专利]实现读取操作的温度跟踪动态保持器实施方式

权利要求书

1.一种静态随机存取存储器SRAM系统，所述静态随机存取存储器系统包括：

多个SRAM存储单元，所述多个SRAM存储单元中的每一个耦合到相应读取位线；

动态保持器，所述动态保持器耦合到所述读取位线，所述动态保持器包括第一保持器和第二保持器，所述第一保持器用于在第一温度范围的读取操作期间支持所述读取位线，所述第二保持器用于在第二温度范围的所述读取操作期间支持所述读取位线；以及

温度敏感控制电路，所述温度敏感控制电路用于基于温度选择所述第一保持器或所述第二保持器。

2.根据权利要求1所述的SRAM系统，其中所述温度敏感控制电路包括温度敏感延迟电路，以基于所述温度延迟输出。

3.根据权利要求2所述的SRAM系统，其中所述温度敏感延迟电路包括：

N型金属氧化物半导体NMOS和P型金属氧化物半导体PMOS晶体管的二极管配置，所述二极管配置用于在所述温度敏感延迟电路的所述输出中生成温度敏感延迟。

4.根据权利要求3所述的SRAM系统，其中对于所述第一温度范围，所述温度敏感延迟电路具有长延迟，使得能够在超低电压下进行读取0操作，并且对于所述第二温度范围，所述第二温度范围高于所述第一温度范围，所述温度敏感延迟电路具有短延迟，使得所述动态保持器能够支持读取1操作。

5.根据权利要求2所述的SRAM系统，其中所述第一保持器包括：

PMOS开关，所述PMOS开关由所述温度敏感延迟电路输出的反相Tkeep信号控制；以及

弱的NMOS保持器，所述弱的NMOS保持器用于支持所述第一温度范围的读取0操作。

6.根据权利要求1所述的SRAM系统，其中所述第二保持器包括：

多个较大的PMOS，所述多个较大的PMOS由Tkeep信号控制。

7.根据权利要求1所述的SRAM系统，其中

所述第一保持器包括第一系列的PMOS元件，所述第一系列的PMOS元件由所述温度敏感控制电路输出的反相Tkeep信号激活；以及

所述第二保持器包括第二系列的PMOS元件，所述第二系列的PMOS元件由所述温度敏感控制电路输出的Tkeep信号激活。

8.根据权利要求7所述的SRAM系统，其中所述第一系列的PMOS元件小于所述第二系列的PMOS元件。

9.根据权利要求7所述的SRAM系统，其中所述第一系列的PMOS元件是所述第二系列的PMOS元件的子集。

10.根据权利要求1所述的SRAM系统，其中所述动态保持器包括：

PMOS开关；

PMOS元件的全集，所述PMOS元件的全集包括所述第二保持器；以及

所述PMOS元件的集合的子集，所述PMOS元件的集合的子集包括所述第一保持器，其中所述开关确定是选择了所述全集还是所述子集。

11.根据权利要求1所述的SRAM系统，其中所述第一保持器在-40摄氏度至中等温度之间的温度下被激活，并且所述第二保持器在高于所述中等温度且低于150摄氏度的温度下被激活。

12.一种方法，所述方法提供动态保持器以保持静态随机存取存储器SRAM读取位线中的信号，所述方法包括：

将动态保持器耦合到所述读取位线，所述动态保持器包括第一保持器和第二保持器；

从温度敏感控制电路接收信号，所述信号基于温度；

选择第一温度范围的所述第一保持器或者第二温度范围的所述第二保持器，以使所述动态保持器能够支持所述读取位线。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述温度敏感控制电路包括温度敏感延迟电路，以基于温度延迟输出。