[发明专利]实现读取操作的温度跟踪动态保持器实施方式

说明书

本申请涉及用于实现读取操作的温度跟踪动态保持器。静态随机存取存储器SRAM系统包含：多个SRAM存储单元，所述多个SRAM存储单元中的每一个耦合到相应读取位线；以及动态保持器，其耦合到所述读取位线。动态保持器包含支持第一温度范围的读取操作的第一保持器和支持第二温度范围的读取操作的第二保持器，以及基于温度选择第一保持器或第二保持器的温度敏感控制电路。

相关申请

本申请要求于2019年12月24日提交的第201911053697号印度申请的权益，并通过引用并入其全部内容。

技术领域

本公开涉及静态随机存取存储器(SRAM)，并且更具体地说，涉及用于提供温度跟踪动态保持器实施方式的系统和方法，以实现SRAM在低电压和/或高温下的读取/写入操作。

背景技术

典型的六晶体管(6T)SRAM在低电压下可能会由于各种设计参数的退化而经历操作故障，诸如静态噪声容限(SNM)、不良的读取和写入容限以及对过程、电压和温度(PVT)波动的指数增加的灵敏度。最先进的超低压SRAM设计技术通过使用八晶体管(8T)SRAM单元来规避传统6T SRAM的这些限制，该单元具有用于去耦读取操作和写入操作的独立读取端口。然而，8T SRAM单元通过其读取端口遭受数据相关的读取位线(RBL)泄漏，这在电压和时间窗口方面恶化了读取感测容限，所述泄漏是由超低电压下的导通和截止状态(ION/IOFF)的小电流比引起的。

这个问题的典型解决方案包含使用固定强度保持器或更大的位单元(10T单元)。固定强度保持器在低电压/低温或高电压/高温下引入问题。使用更大的位单元增加了面积，并且因此不是实用的解决方案。

发明内容

静态随机存取存储器(SRAM)系统，其包含多个SRAM存储单元和耦合到读取位线的动态保持器。动态保持器包含支持第一温度范围的读取操作的第一保持器和支持第二温度范围的读取操作的第二保持器，以及基于温度选择第一保持器或第二保持器的温度敏感控制电路。

提供动态保持器以保持静态随机存取存储器(SRAM)读取位线中的信号的方法包含将动态保持器耦合到读取位线，动态保持器包含第一保持器和第二保持器。方法进一步包含基于温度从温度敏感控制电路接收信号，以选择第一温度范围的第一保持器或第二温度范围的第二保持器。动态保持器设计用于为读取位线提供支持。

附图说明

从下面给出的详细描述和本公开的实施例的附图中，将更全面地理解本公开。附图用于提供对本公开的实施例的知识和理解，并且不将本公开的范围限制于这些特定实施例。进一步地，附图不一定按比例绘制。

图1是8T SRAM的示意图，带有去耦合的读取端口。

图2是带有固定强度保持器的8T SRAM的示意图。

图3是具有动态保持器实施方式的SRAM的一个实施例的框图。

图4是使用动态保持器的一个实施例的流程图。

图5是动态保持器实施方式的一个实施例的电路图。

图6是温度敏感延迟电路的一个实施例的电路图。

图7是示出了图5的动态保持器实施方式中的信号时序的信号图。

图8是动态保持器实施方式的另一实施例的电路图。

图9是动态保持器实施方式的另一实施例的电路图。

图10描绘了本公开的实施例可以在其中操作的示例性计算机系统的抽象图。

具体实施方式