[发明专利]溅射装置以及晶圆镀膜方法

权利要求书

1.一种溅射装置，其特征在于，所述溅射装置包括反应单元，所述反应单元包括：

反应室，所述反应室内设有多种靶材，所述多种靶材沿所述反应室的周向间隔设置；

置物架，所述置物架上设有至少一个用于放置晶圆的承托位，所述置物架能够在所述反应室内转动，以驱使所述承托位与所述多种靶材中的任一种对应设置；

加热件，所述加热件的数量与所述承托位的数量一致，所述加热件与所述承托位对应设置。

2.根据权利要求1所述的溅射装置，其特征在于，所述承托位的数量与所述多种靶材的数量一致，所述承托位与所述多种靶材对应设置。

3.根据权利要求1所述的溅射装置，其特征在于，所述加热件包括加热部和举升部，所述举升部与所述加热部传动连接，以驱动所述加热部向靠近或者远离所述置物架的方向移动。

4.根据权利要求1所述的溅射装置，其特征在于，所述加热件的温度维持在室温至600℃之间；

并且/或者所述加热件与所述多种靶材之间的距离为5cm～20cm。

5.根据权利要求1所述的溅射装置，其特征在于，所述反应室的反应压力为10^-2Torr～10^-3Torr。

6.根据权利要求1所述的溅射装置，其特征在于，所述反应单元还包括阻隔结构，所述阻隔结构用于将相邻所述承托位彼此隔离。

7.根据权利要求6所述的溅射装置，其特征在于，所述阻隔结构为惰性气体形成的气幕或为可升降的阻断隔板。

8.根据权利要求1至7任一项所述的溅射装置，其特征在于，所述溅射装置还包括取放单元，所述取放单元设置在所述反应室的外侧，所述取放单元用于将所述晶圆放入或取出所述反应室。

9.根据权利要求8所述的溅射装置，其特征在于，所述反应单元的数量为多个，多个所述反应单元在所述取放单元的周向间隔设置。

10.一种晶圆镀膜方法，该晶圆镀膜方法根据权利要求1至9任一项所述的溅射装置来实施的，其特征在于，所述晶圆镀膜方法包括：

S10：将晶圆放置到一个反应室的置物架的承托位上，使得晶圆与一种靶材对应设置；

S20：对晶圆进行溅射处理；

S30：待晶圆被溅射处理完毕后，驱动置物架转动，使得晶圆与另一种靶材对应设置；

S40：再次对晶圆进行溅射处理；

S50：若一个反应室内的靶材种类能够满足晶圆的镀膜需求，则重复步骤S30和S40，直至晶圆被溅射处理完成；

S60：若一个反应室内的靶材种类不能够满足晶圆的镀膜需求，将未处理完成的晶圆放置到另一个反应室的置物架的承托位上，使得未处理完成的晶圆与另一个反应室内的一种靶材对应设置，重复步骤S30和S40，直至晶圆被溅射处理完成。