[发明专利]溅射装置以及晶圆镀膜方法

说明书

本发明公开了一种溅射装置以及晶圆镀膜方法，该溅射装置包括反应单元，反应单元包括反应室、置物架和加热件，反应室内设有多种靶材，多种靶材沿反应室的周向间隔设置，置物架上设有至少一个用于放置晶圆的承托位，置物架能够在反应室内转动，以驱使承托位与多种靶材中的任一种对应设置，加热件的数量与承托位的数量一致，加热件与承托位对应设置。在一个反应室内设置多种靶材，以及通过置物架的转动实现晶圆与不同靶材对应设置，实现了晶圆在一个反应室内能够进行多工艺镀膜，提高了生产的效率，另外，减少了反应室的数量，使得溅射装置的制造成本得到降低，此外，无需晶圆频繁离开反应室，避免了环境对晶圆制造过程中产生不良影响。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种溅射装置以及晶圆镀膜方法。

背景技术

本部分提供的仅仅是与本公开相关的背景信息，其并不必然是现有技术。

晶圆镀膜通常利用物理气相沉积(Physical VaporDeposition，PVD)溅射的方法来完成，并且通过溅射装置来具体实施。溅射装置包括反应室以及机械手，反应室内设有单一种类的靶材，晶圆进行镀膜时，机械手将晶圆放置到反应室内，利用靶材对晶圆进行溅射处理。

当需要对晶圆进行多种靶材的镀膜时，需要对应每一种靶材设置一个反应室，镀膜过程中，晶圆在一个反应室溅射处理完成后，机械手将晶圆转移至下一个反应室进行再次溅射，直至将晶圆完成所有靶材的溅射。

在溅射装置上设置多个反应室增加了溅射装置的成本，另外，晶圆在多个反应室之间切换以进行溅射处理的方式效率较低。

发明内容

本发明的第一方面提出了一种溅射装置，所述溅射装置包括反应单元，所述反应单元包括：

反应室，所述反应室内设有多种靶材，所述多种靶材沿所述反应室的周向间隔设置；

置物架，所述置物架上设有至少一个用于放置晶圆的承托位，所述置物架能够在所述反应室内转动，以驱使所述承托位与所述多种靶材中的任一种对应设置；

加热件，所述加热件的数量与所述承托位的数量一致，所述加热件与所述承托位对应设置。

本发明的第二方面提出了一种晶圆镀膜方法，该晶圆镀膜方法根据如上所述的溅射装置来实施的，所述晶圆镀膜方法包括：

S10：将晶圆放置到一个反应室的置物架的承托位上，使得晶圆与一种靶材对应设置；

S20：对晶圆进行溅射处理；

S30：待晶圆被溅射处理完毕后，驱动置物架转动，使得晶圆与另一种靶材对应设置；

S40：再次对晶圆进行溅射处理；

S50：若一个反应室内的靶材种类能够满足晶圆的镀膜需求，则重复步骤S30和S40，直至晶圆被溅射处理完成；

S60：若一个反应室内的靶材种类不能够满足晶圆的镀膜需求，将未处理完成的晶圆放置到另一个反应室的置物架的承托位上，使得未处理完成的晶圆与另一个反应室的一种靶材对应设置，重复步骤S30和S40，直至晶圆被溅射处理完成。

附图说明

通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中，用相同的附图标记表示相同的部件。在附图中：

图1示意性地示出了根据本发明第一实施方式的溅射装置结构简图；

图2示意性地示出了根据本发明第二实施方式的溅射装置结构简图

图3为图1中所示的溅射装置的局部剖视图；