[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法和显示器件在审
| 申请号： | 202011554613.1 | 申请日： | 2020-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN112635572A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 胡诗犇;龚政;庞超;龚岩芬;王建太;郭婵;潘章旭;陈志涛 | 申请（专利权）人： | 广东省科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 刘曾 |
| 地址： | 510651 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 显示 器件 | ||
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括:
衬底；
位于所述衬底一侧的栅极；
位于所述衬底一侧，并覆盖在所述栅极上的栅绝缘层；
位于所述栅绝缘层远离所述衬底一侧的半导体层；
位于所述半导体层远离所述衬底一侧的钝化层；
以及，位于所述钝化层上的源极和漏极；
其中，所述半导体层具有沟道区，且所述半导体层与所述钝化层的接触界面处还形成有高导层，所述源极和所述漏极与所述高导层连接，所述高导层与所述沟道区连接。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：
位于所述半导体层远离所述衬底一侧的刻蚀阻挡层；
其中，所述刻蚀阻挡层部分覆盖所述半导体层，所述钝化层覆盖在所述刻蚀阻挡层上。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述刻蚀阻挡层与所述栅极自对准，所述高导层与所述刻蚀阻挡层连接。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层的材料为含铟的半导体氧化物。
5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述高导层内包含材料铟。
6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述钝化层上设置有源接触孔和漏接触孔，所述源极通过所述源接触孔与所述高导层连接，所述漏极通过所述漏接触孔与所述高导层连接。
7.一种薄膜晶体管的制备方法，用于制备如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，包括以下步骤：
在所述衬底的一侧制备栅极；
在所述衬底的一侧制备栅绝缘层，所述栅绝缘层覆盖在所述栅极上；
在所述栅绝缘层远离所述衬底的一侧制备半导体层；
在所述半导体层远离所述衬底的一侧制备高导层和钝化层；
在所述钝化层上制备源极和漏极；
其中，所述半导体层具有沟道区，所述高导层形成于所述半导体层与所述钝化层的接触界面处，所述源极和所述漏极与所述高导层连接，所述高导层与所述沟道区连接。
8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在所述半导体层远离所述衬底的一侧制备高导层和钝化层的步骤之前，所述方法还包括：
在所述半导体层上制备刻蚀阻挡层；
其中，所述刻蚀阻挡层部分覆盖所述半导体层。
9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在所述半导体层远离所述衬底的一侧制备高导层和钝化层的步骤，包括：
在所述半导体层上磁控溅射沉积形成钝化层，并在所述半导体层与所述钝化层的接触界面处生成所述高导层。
10.一种显示器件，其特征在于，包括如权利要求1-6任一项所述的薄膜晶体管。
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