[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法和显示器件

说明书

本发明提供了一种薄膜晶体管及其制备方法和显示器件，涉及半导体电子器件领域，薄膜晶体管包括衬底、栅极、栅绝缘层、半导体层、钝化层以及源极和漏极；其中，半导体层具有沟道区，且半导体层与钝化层的接触界面处还形成有高导层，源极和漏极与高导层连接，高导层与沟道区连接。相较于现有技术，本发明提供的薄膜晶体管，通过在钝化层和半导体层界面形成高导层，在钝化层的沉积过程中实现了氧化物半导体薄膜的导体化，无需采用复杂的源极和漏极结构，简化了氧化物半导体薄膜晶体管的制备工艺，从而能够有效提高生产效率，降低制备成本。

技术领域

本发明涉及半导体电子器件领域，具体而言，涉及一种薄膜晶体管及其制备方法和显示器件。

背景技术

近年来，氧化物半导体薄膜晶体管因为其高迁移率，均匀性好，低温制备的特点，得到了广泛的应用。

目前，主流使用的氧化物薄膜晶体管，为了保证良好的电气性能，通常是在成型源漏电极的过程中将源漏电极延伸至沟道区，而由于面板朝着大尺寸、高分辨率和高分辨率方向发展，对薄膜晶体管(Thin Film Transistors，TFT)的性能提出了更高的要求，通常需要减小沟道长度，降低接触电阻，以满足显示的发展需求。故针对超短沟道器件，常规的源漏电极结构，结构、工艺复杂，影响生产效率，增加了制备成本。

发明内容

本发明的目的包括，提供了一种薄膜晶体管和及其制备方法和显示器件，其能够简化结构和工艺，从而有效提高生产效率，降低制备成本。

本发明的实施例可以这样实现：

第一方面，本发明提供一种薄膜晶体管，包括:

衬底；

位于所述衬底一侧的栅极；

位于所述衬底一侧，并覆盖在所述栅极上的栅绝缘层；

位于所述栅绝缘层远离所述衬底一侧的半导体层；

位于所述半导体层远离所述衬底一侧的钝化层；

以及，位于所述钝化层上的源极和漏极；

其中，所述半导体层具有沟道区，且所述半导体层与所述钝化层的接触界面处还形成有高导层，所述源极和所述漏极与所述高导层连接，所述高导层与所述沟道区连接。

在可选的实施方式中，所述薄膜晶体管还包括：

位于所述半导体层远离所述衬底一侧的刻蚀阻挡层；

其中，所述刻蚀阻挡层部分覆盖所述半导体层，所述钝化层覆盖在所述刻蚀阻挡层上。

在可选的实施方式中，所述刻蚀阻挡层与所述栅极自对准，所述高导层与所述刻蚀阻挡层连接。

在可选的实施方式中，所述半导体层的材料为含铟的半导体氧化物。

在可选的实施方式中，所述高导层内包含材料铟。

在可选的实施方式中，所述钝化层上设置有源接触孔和漏接触孔，所述源极通过所述源接触孔与所述高导层连接，所述漏极通过所述漏接触孔与所述高导层连接。

第二方面，本发明提供一种薄膜晶体管的制备方法，用于制备如前述实施方式所述的薄膜晶体管，包括以下步骤：

在所述衬底的一侧制备栅极；

在所述衬底的一侧制备栅绝缘层，所述栅绝缘层覆盖在所述栅极上；

在所述栅绝缘层远离所述衬底的一侧制备半导体层；

在所述半导体层远离所述衬底的一侧制备高导层和钝化层；

在所述钝化层上制备源极和漏极；