[发明专利]具有绝缘体上应变源极或漏极结构的环栅集成电路结构在审
| 申请号： | 202011557547.3 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN113851541A | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | A·阿格拉瓦尔;A·S·默西;C·邦伯格;J·T·卡瓦列罗斯;K·甘古利;R·基奇;S·舒克赛;S·高斯;W·拉赫马迪 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L27/088 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 绝缘体 应变 结构 集成电路 | ||
1.一种集成电路结构，包括：
绝缘体层，在衬底上方；
水平半导体纳米线的垂直布置体，在所述绝缘体层上方；
栅极叠层，围绕水平半导体纳米线的所述垂直布置体的沟道区，并且所述栅极叠层在所述绝缘体层上；以及
一对外延源极或漏极结构，在水平半导体纳米线的所述垂直布置体的第一端和第二端处并且在所述绝缘体层上，其中，所述一对外延源极或漏极结构中的每一个具有压缩或扩展的晶格。
2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述一对外延源极或漏极结构中的每一个具有压缩的晶格。
3.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述一对外延源极或漏极结构中的每一个具有扩展的晶格。
4.根据权利要求1、2或3所述的集成电路结构，其中，所述绝缘体层在子鳍状物上，所述子鳍状物在所述衬底上方或上。
5.根据权利要求1、2或3所述的集成电路结构，其中，所述绝缘体层包括氧化硅，并且水平半导体纳米线的所述垂直布置体包括硅。
6.根据权利要求1、2或3所述的集成电路结构，其中，所述一对外延源极或漏极结构是一对非分立的外延源极或漏极结构。
7.根据权利要求1、2或3所述的集成电路结构，其中，所述栅极叠层包括高k栅极电介质层和金属栅极电极。
8.一种集成电路结构，包括：
绝缘体层，在衬底上方；
水平半导体纳米线的垂直布置体，在所述绝缘体层上方；
栅极叠层，围绕水平半导体纳米线的所述垂直布置体的沟道区，并且所述栅极叠层在所述绝缘体层上；
一对外延源极或漏极结构，在水平半导体纳米线的所述垂直布置体的第一端和第二端处并且在所述绝缘体层上；以及
外延盖层，在所述一对外延源极或漏极结构中的每一个上，所述外延盖层包括与所述一对外延源极或漏极结构的半导体材料不同的半导体材料。
9.根据权利要求8所述的集成电路结构，其中，所述一对外延源极或漏极结构的半导体材料是硅，并且所述外延盖层的半导体材料是碳化硅。
10.根据权利要求8所述的集成电路结构，其中，所述一对外延源极或漏极结构的半导体材料是硅，并且所述外延盖层的半导体材料是硅锗或锗。
11.根据权利要求8所述的集成电路结构，其中，所述一对外延源极或漏极结构的半导体材料是硅锗，并且所述外延盖层的半导体材料是锗。
12.根据权利要求8、9、10或11所述的集成电路结构，其中，所述绝缘体层在子鳍状物上，所述子鳍状物在所述衬底上方或上。
13.根据权利要求8、9、10或11所述的集成电路结构，其中，所述绝缘体层包括氧化硅，并且水平半导体纳米线的所述垂直布置体包括硅。
14.根据权利要求8、9、10或11所述的集成电路结构，其中，所述一对外延源极或漏极结构是一对非分立的外延源极或漏极结构。
15.根据权利要求8、9、10或11所述的集成电路结构，其中，所述栅极叠层包括高k栅极电介质层和金属栅极电极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011557547.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
