[发明专利]上电复位电路在审
申请号: | 202011557893.1 | 申请日: | 2020-12-25 |
公开(公告)号: | CN114696808A | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
发明(设计)人: | 李婧 | 申请(专利权)人: | 上海贝岭股份有限公司 |
主分类号: | H03K17/22 | 分类号: | H03K17/22 |
代理公司: | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人: | 杨东明;张冉 |
地址: | 200233 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 复位 电路 | ||
1.一种上电复位电路,其特征在于,包括主POR单元、POR模块、电平转换模块;
所述主POR单元的电源端与主电压源电连接;
所述POR模块包括至少一个副POR单元,所述副POR单元的电源端与一个副电压源电连接;
所述电平转换模块的输入端与所述副POR单元的输出端电连接,所述电平转换模块用于将其输入端的信号转换至所述主电压源对应的电压域的信号并在其输出端上输出;
当所述副POR单元的输出信号为第一状态时,所述电平转换模块的输出端用于使能所述主POR单元;当所述副POR单元的输出信号为第二状态时,所述电平转换模块的输出端用于禁止所述主POR单元;
所述主POR单元的输出端作为所述上电复位电路的输出端。
2.如权利要求1所述的上电复位电路,其特征在于,所述主POR单元包括开关模块,所述电平转换模块的输出端用于控制所述开关模块的导通或断开以使能或禁止所述主POR单元。
3.如权利要求2所述的上电复位电路,其特征在于,所述POR模块包括n个所述副POR单元,所述电平转换模块包括n个电平转换单元,所述开关模块包括n个开关单元,n个所述开关单元串联;
第i个所述副POR单元的电源端与第i个所述副电压源对应电连接;
第i个所述副POR单元的输出端与第i个所述电平转换单元的输入端电连接;
第i个所述电平转换单元的输出端用于控制第i个所述开关单元的导通或断开;i∈[1,n],n为大于等于2的正整数;
任意两个所述副电压源的电压不相等。
4.如权利要求3所述的上电复位电路,其特征在于,所述电平转换单元包括第一转换PMOS管、第二转换PMOS管、第一转换NMOS管、第二转换NMOS管、第三转换NMOS管、第四转换NMOS管;
所述第一转换PMOS管的源极和所述第二转换PMOS管的源极与所述主电压源电连接,所述第一转换PMOS管的栅极作为所述电平转换单元的输入端并与所述第二转换NMOS管的栅极电连接,所述第一转换PMOS管的漏极与所述第一转换NMOS管的漏极、所述第二转换PMOS管的栅极、所述第四转换NMOS管的栅极电连接;
所述第一转换NMOS管的源极与所述第二转换NMOS管的漏极电连接,所述第一转换NMOS管的栅极和所述第三转换NMOS管的栅极与所述主电压源电连接,所述第二转换NMOS管的源极接地;
所述第二转换PMOS管的漏极作为所述电平转换单元的输出端并与所述第三转换NMOS管的漏极电连接,所述第三转换NMOS管的源极与所述第四转换NMOS管的漏极电连接,所述第四转换NMOS管的源极接地。
5.如权利要求4所述的上电复位电路,其特征在于,所述第一转换PMOS管、所述第一转换NMOS管和所述第二转换NMOS管为厚栅管。
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