[发明专利]半导体装置封装及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装，其包括：

半导体装置，其包括：

第一衬底，及

多层结构，其安置于所述第一衬底的上表面上，其中所述多层结构的一层朝外延伸超出所述多层结构的最上表面的侧边缘；及

第二衬底；

其中所述半导体装置安置于所述第二衬底上且电连接到所述第二衬底。

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述半导体装置进一步包括安置于所述多层结构的上表面上的聚光层。

3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述第一衬底包括感测区及衬垫。

4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述第一衬底为硅晶片或硅芯片。

5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述多层结构包括光学透明层及光阻挡层，且其中所述光阻挡层限定多个孔隙。

6.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述多层结构具有侧壁，且所述多层结构的所述侧壁为大体上平滑的。

7.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述多层结构具有侧壁，且所述多层结构的所述侧壁具有与所述多层结构的所述上表面的粗糙度大体上相同或不超过所述粗糙度的粗糙度(Ra)。

8.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述多层结构具有侧壁，且所述多层结构的所述侧壁从所述多层结构的下表面到所述多层结构的所述上表面逐渐变窄。

9.根据权利要求8所述的半导体封装，其中所述侧壁为阶梯形的。

10.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述多层结构具有侧壁，且所述多层结构的所述侧壁与所述多层结构的所述上表面之间的角度为90°或大于90°。

11.根据权利要求1所述的半导体封装，其进一步包括连接到所述第一衬底及所述第二衬底的电连接构件。

12.一种半导体封装，其包括：

半导体装置，其包括：

第一衬底，其具有感测区及衬垫，及

准直结构，其安置于所述第一衬底上且暴露所述第一衬底的所述衬垫，其中所述准直结构的上表面的长度小于所述准直结构的下表面的长度；及

第二衬底；

其中所述半导体装置安置于所述第二衬底上且电连接到所述第二衬底。

13.根据权利要求12所述的半导体封装，其中所述半导体装置进一步包括安置于所述准直结构的所述上表面上的微透镜阵列。

14.根据权利要求12所述的半导体封装，其中所述准直结构包括限定多个孔隙的不透明层。

15.根据权利要求12所述的半导体封装，其中所述准直结构具有侧壁，且所述侧壁具有与所述准直结构的所述上表面的粗糙度大体上相同或不超过所述粗糙度的粗糙度(Ra)。

16.根据权利要求12所述的半导体封装，其中所述准直结构具有侧壁，且所述侧壁从准直结构的所述下表面到所述准直结构的所述上表面逐渐变窄。

17.根据权利要求16所述的半导体封装，其中所述侧壁为阶梯形的。

18.根据权利要求12所述的半导体封装，其中所述准直结构具有侧壁，且所述准直结构的所述侧壁与所述准直结构的所述上表面之间的角度为90°或大于90°。