[发明专利]半导体装置封装及其制造方法

说明书

本发明提供一种半导体封装，其包含半导体装置及第二衬底。所述半导体装置安置于所述第二衬底上且电连接到所述第二衬底。所述半导体装置包含第一衬底及多层结构。所述多层结构安置于所述第一衬底的上表面上，且所述多层结构的一层朝外延伸超出所述多层结构的最上表面的侧边缘。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置、一种半导体封装及其制造方法。

背景技术

例如光感测装置、图像感测装置或指纹辨识装置的光电装置广泛用于消费型电子产品中。光电装置可含有安置于半导体裸片的感测区上的多个堆叠光学层。在制造光电装置时，半导体裸片的衬垫可能被所述堆叠光学层覆盖，且因此需进行例如切割及/或物理轰击等额外操作以去除堆叠光学层的一部分以暴露衬垫，此增加了生产成本及时间。另外，由于切割及/或物理轰击引起的应力，可能会发生分层。

发明内容

在一些实施例中，本发明提供一种半导体装置。所述半导体装置包含第一衬底及多层结构。所述多层结构安置于第一衬底的上表面上，且多层结构的一层朝外延伸超出多层结构的最上表面的侧边缘。

在一些实施例中，本发明提供一种半导体装置。所述半导体装置包含第一衬底及准直结构(collimating structure)。第一衬底具有感测区及衬垫。准直结构安置于第一衬底的感测区上且暴露第一衬底的衬垫。准直结构的上表面的长度小于准直结构的下表面的长度。

在一些实施例中，本发明提供包含半导体装置及第二衬底的半导体封装。所述半导体装置包含第一衬底及多层结构。所述多层结构安置于第一衬底的上表面上，且所述多层结构的一层朝外延伸超出多层结构的最上表面的侧边缘。所述半导体装置安置于第二衬底上且电连接到第二衬底。

在一些实施例中，半导体封装包含半导体装置及第二衬底。所述半导体装置包含第一衬底及准直结构。第一衬底具有感测区及衬垫。准直结构安置于第一衬底的感测区上且暴露第一衬底的衬垫。准直结构的上表面的长度小于准直结构的下表面的长度。半导体装置安置于第二衬底上且电连接到第二衬底。

在一些实施例中，一种制造半导体封装的方法包含以下操作。提供半导体装置。所述半导体装置包含第一衬底及多层结构。多层结构安置于第一衬底的上表面上，且多层结构的一层朝外延伸超出多层结构的最上表面的侧边缘。半导体装置安置于第二衬底的上表面上且通过线接合电连接到第二衬底。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述易于理解本公开的一些实施例的方面。各种结构可能未按比例绘制，且各种结构的尺寸可出于论述清晰起见任意增大或减小。

图1为根据比较实施例的半导体装置的示意性横截面图。

图2A为根据本公开的一些实施例的半导体装置的示意性横截面图。

图2B为根据本公开的一些实施例的半导体装置的示意性横截面图。

图2C为根据本公开的一些实施例的半导体装置的示意性俯视图。

图3为根据本公开的一些实施例的半导体装置的示意性横截面图。

图4为根据本公开的一些实施例的半导体装置的示意性横截面图。

图5为根据本公开的一些实施例的半导体装置的示意性横截面图。

图6为根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的示意性横截面图。

图7为根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的示意性横截面图。

图8A、图8B、图8C、图8D、图8E、图8F、图8G、图8H、图8I、图8J及图8K说明根据本公开的一些实施例的制造半导体装置的操作。

在整个图式及详细描述中使用共同附图标记以指示相同或类似组件。通过结合附图的以下详细描述将更容易理解本公开的实施例。