[发明专利]一种半导体设备在审
| 申请号： | 202011558371.3 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN114695161A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 姜喆求;卢一泓;李琳;胡杨鹏;张月;王佳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;F16L55/07;F17D1/08;F17D3/01 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体设备 | ||
1.一种半导体设备，其特征在于，包括半导体设备本体和设置在所述半导体设备本体中的排液管线，其中，
所述排液管线包括第一管线和第二管线，其中，所述第一管线设置在所述第二管线中，且所述第一管线上设置有多个开孔；所述第一管线用于将疏通剂通过所述多个开孔喷射到所述第二管线中。
2.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第一管线，用于周期性将预设体积的所述疏通剂通过所述多个开孔喷射到所述第一管线中。
3.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述多个开孔均匀分布在所述第一管线上，且所述多个开孔朝向所述第二管线的中空部分。
4.如权利要求1所述的设备，其特征在于，还包括：
第一阀门，用于与所述第一管线连接，控制所述疏通剂通过所述第一阀门进入到所述第一管线中。
5.如权利要求4所述的设备，其特征在于，还包括：
第二阀门，用于与所述第一管线连接，控制气体通过所述第二阀门进入到所述第一管线中。
6.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第一管线和所述第二管线的材质为四氟乙烯—全氟烷氧基乙烯基醚共聚物或聚四氟乙烯。
7.如权利要求1所述的设备，其特征在于，还包括：
排放管，用于与所述第一管线相连。
8.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第二管线与所述半导体设备本体中的化学液槽连通。
9.如权利要求6所述的设备，其特征在于，还包括：
第一连接头，一端与所述化学液槽连接，另一端套接在所述第二管线上。
10.如权利要求1所述的设备，其特征在于，还包括：
排液槽，设置在所述第一管线和所述第二管线的下方，且与所述第一管线和所述第二管线连通。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司，未经中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
