[发明专利]一种半导体设备

说明书

本发明公开了一种半导体设备，包括半导体设备本体和设置在所述半导体设备本体中的排液管线，其中，所述排液管线包括第一管线和第二管线，其中，所述第一管线设置在所述第二管线中，且所述第一管线上设置有多个开孔；所述第一管线用于将疏通剂通过所述多个开孔喷射到所述第二管线中。本发明公开的半导体设备，解决了现有技术中管线堵塞导致半导体设备产能下降的问题，能够有效降低管线堵塞的概率和使得产能得以提高。

技术领域

本发明涉及半导体的技术领域，尤其涉及一种半导体设备。

背景技术

随着半导体设备的飞速发展，使得晶圆清洗和刻蚀设备也随着飞速发展。晶圆的湿法清洗和湿法腐蚀是最常用的工艺之一。在对晶圆进行湿法腐蚀时，通常使用的是化学试剂，且化学试剂会设置在半导体设备的化学液槽中，再通过排液管路将刻蚀后的化学试剂排出；而在清洗晶圆时，由于使用的是化学试剂或者水，使得对晶圆的清洗后会有化学试剂和清洗反应产物通过排液管线排出。

但本申请发明人在实现本申请实施例中发明技术方案的过程中，发现上述技术至少存在如下技术问题：

在通过排液管线将刻蚀后的化学试剂排出时，由于化学试剂容易结晶会导致排液管线堵塞的概率较高；以及在通过排液管线排出清洗晶圆后的液体时，由于对晶圆的清洗会出现化学试剂和清洗反应产物会导致排液管线堵塞的概率较高。而在排液管线堵塞时，会使得化学液槽中液体溢出导致半导体设备停机，使得产能也会随之降低的问题。此外，人工处理已堵塞的下排管线时，会有直接接触暴露出来的化学试剂的风险，增加安全隐患。

发明内容

本申请实施例通过提供一种半导体设备，解决了现有技术中下排管线堵塞导致半导体设备产能下降的问题，实现了降低下排管线堵塞的概率，有效提高产能的效果。

一方面，本申请通过本申请的一实施例提供如下技术方案：

本发明公开了一种半导体设备，包括半导体设备本体和设置在所述半导体设备本体中的排液管线，其中，

所述排液管线包括第一管线和第二管线，其中，所述第一管线设置在所述第二管线中，且所述第一管线上设置有多个开孔；所述第一管线用于将疏通剂通过所述多个开孔喷射到所述第二管线中。

可选的，所述第一管线，用于周期性将预设体积的所述疏通剂通过所述多个开孔喷射到所述第一管线中。

可选的，所述多个开孔均匀分布在所述第一管线上，且所述多个开孔朝向所述第二管线的中空部分。

可选的，所述半导体设备，还包括：

第一阀门，用于与所述第一管线连接，控制所述疏通剂通过所述第一阀门进入到所述第一管线中。

可选的，所述半导体设备，还包括：

第二阀门，用于与所述第一管线连接，控制气体通过所述第二阀门进入到所述第一管线中。

可选的，所述半导体设备，所述第一管线和所述第二管线的材质为四氟乙烯—全氟烷氧基乙烯基醚共聚物或聚四氟乙烯。

可选的，所述半导体设备，还包括：

排放管，用于与所述第一管线相连。

可选的，所述半导体设备，所述第二管线与所述半导体设备本体中的化学液槽连通。

可选的，所述半导体设备，还包括：

第一连接头，一端与所述化学液槽连接，另一端套接在所述第二管线上。

可选的，所述半导体设备，还包括：

排液槽，设置在所述第一管线和所述第二管线的下方，且与所述第一管线和所述第二管线连通。

本申请实施例中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：