[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一基板，包括单元区域和围绕所述单元区域的延伸区域；

公共源极板，设置在所述第一基板上；

支撑件，设置在所述公共源极板上；

第一堆叠结构，设置在所述支撑件上并包括交替地堆叠的第一绝缘膜和第一栅电极；

沟道孔，在所述第一基板的所述单元区域上穿透所述第一堆叠结构、所述支撑件和所述公共源极板；以及

电极隔离沟槽，在所述第一基板的所述单元区域上在第一方向上与所述沟道孔间隔开，在垂直于所述第一方向的第二方向上纵向地延伸，并穿透所述第一堆叠结构、所述支撑件和所述公共源极板，

其中在所述第一方向上与所述电极隔离沟槽相邻的第一区域中的所述支撑件的第一厚度大于形成在所述电极隔离沟槽与所述沟道孔之间的第二区域中的所述支撑件的第二厚度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一区域包括：

所述公共源极板的设置在形成于所述第一基板的上表面处的第一沟槽中的部分，和

所述支撑件的设置在形成于所述公共源极板的上表面处的第二沟槽中的部分。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第二沟槽在所述第一方向上的宽度随着所述第二沟槽更靠近所述第一堆叠结构而增大。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述支撑件包括：

第一支撑件，设置在所述第二沟槽中并包括第一浓度的杂质，和

第二支撑件，设置在所述第一支撑件上并包括第二浓度的杂质，所述第二浓度大于所述第一浓度。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

沟道绝缘膜，沿着所述沟道孔的侧壁和底表面设置；和

沟道膜，在所述沟道孔内部设置在所述沟道绝缘膜上，

其中所述公共源极板与所述沟道膜接触。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中在所述第一区域中的所述公共源极板的第三厚度与在所述第二区域中的所述公共源极板的第四厚度相同。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

设置在所述电极隔离沟槽内部的电极隔离膜。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，还包括：

电极隔离填充膜，填充所述电极隔离沟槽、在沿着所述电极隔离沟槽的侧壁和底表面设置的所述电极隔离膜上。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

设置在所述公共源极板内部的气隙。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中在所述第一区域中的所述公共源极板的第三厚度大于在所述第二区域中的所述公共源极板的第四厚度。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

设置在所述第一基板下面的第二基板；和

设置在所述第一基板和所述第二基板之间的晶体管和多条布线。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

导电垫，设置在所述沟道孔内部；

位线，在所述导电垫上沿所述第一方向纵向地延伸并电连接到所述导电垫；

连接线，设置在所述位线上；

晶体管和多条布线，设置在所述连接线上；以及

第二基板，设置在所述晶体管和所述多条布线上。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第二堆叠结构，设置在所述第一堆叠结构上并包括交替地堆叠的第二绝缘膜和第二栅电极。