[发明专利]基板处理装置、方法、系统以及学习用数据的生成方法

说明书

本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法、基板处理系统以及学习用数据的生成方法。基板处理装置包括喷嘴、移动机构、存储部及控制部。移动机构使喷嘴移动。存储部存储学习完毕模型。学习完毕模型是通过将表示喷嘴的移动速度的学习对象速度信息与处理量作为学习用数据进行学习而生成，所述处理量是以基于学习对象速度信息的速度来使喷嘴移动并对学习对象基板执行处理而获取。控制部将处理量的目标量输入至学习完毕模型，由此，从学习完毕模型输出处理时速度信息。控制部在对处理对象基板执行处理时，控制移动机构，以使喷嘴以基于处理时速度信息的速度而移动。处理时速度信息表示喷嘴的移动速度。

技术领域

本发明涉及一种基板处理装置、基板处理方法、基板处理系统以及学习用数据的生成方法。

背景技术

已知有一种基板处理装置，其将表面形成有覆膜的晶片(wafer)作为处理对象，通过液处理来进行覆膜的膜厚调整及异物去除。作为此种基板处理装置的一种，有包括对晶片表面供给蚀刻(etching)用处理液的喷嘴(nozzle)的单片式基板处理装置(例如参照专利文献1)。专利文献1的基板处理装置在蚀刻处理的执行时，一边基于预先规定的速度廓线(profile)来使喷嘴移动，一边使蚀刻用处理液从喷嘴喷出。

[现有技术文献]

[专利文献]

专利文献1：日本专利特开2019-54104号公报

发明内容

[发明所要解决的问题]

但是，在基于预先规定的速度廓线来使喷嘴移动的基板处理装置中，例如必须根据对晶片执行的前处理的变更来重新开发速度廓线。这是因为，当前处理受到变更时，蚀刻处理前的覆膜的膜厚或蚀刻处理前的覆膜的膜厚的偏差会发生变化。因此会造成参与速度廓线开发的作业者的负担。

本发明是有鉴于所述问题而完成，其目的在于提供一种能够减轻作业者的负担的基板处理装置、基板处理方法、基板处理系统以及学习用数据的生成方法。

[解决问题的技术手段]

根据本发明的一实施例，基板处理装置将处理液供给至基板以对所述基板执行处理。所述基板处理装置包括喷嘴、移动机构、存储部及控制部。所述喷嘴对所述基板供给所述处理液。所述移动机构使所述喷嘴及所述基板中的至少一者移动。所述存储部存储学习完毕模型。所述控制部使用所述学习完毕模型来控制所述移动机构。所述学习完毕模型是通过将学习对象速度信息与处理量作为学习用数据进行学习而生成，所述学习对象速度信息表示所述喷嘴的移动速度及学习对象基板的移动速度中的至少一者、或者表示所述喷嘴与所述学习对象基板的相对移动速度，所述处理量是以基于所述学习对象速度信息的速度来使所述喷嘴及所述学习对象基板中的至少一者移动并对所述学习对象基板执行所述处理而获取。所述处理量表示通过所述处理来对所述基板进行处理的量。所述控制部将所述处理量的目标量输入至所述学习完毕模型，由此，从所述学习完毕模型输出处理时速度信息。所述控制部在对处理对象基板执行所述处理时，控制所述移动机构，以使所述喷嘴及所述处理对象基板中的至少一者以基于所述处理时速度信息的速度而移动。所述处理时速度信息表示所述喷嘴的移动速度及所述处理对象基板的移动速度中的至少一者、或者表示所述喷嘴与所述处理对象基板的相对移动速度。

一实施方式中，所述学习对象速度信息表示针对将所述喷嘴移动的移动区间分割为多个区间的各喷嘴位置的每个位置而设定的所述喷嘴的移动速度、及针对将所述学习对象基板移动的移动区间分割为多个区间的各基板位置的每个位置而设定的所述学习对象基板的移动速度中的至少一者，或者所述学习对象速度信息表示针对所述各喷嘴位置的每个位置或所述各基板位置的每个位置的、所述喷嘴与所述学习对象基板的相对移动速度。所述处理时速度信息表示针对所述各喷嘴位置的每个位置而设定的所述喷嘴的移动速度、及针对所述各基板位置的每个位置而设定的所述处理对象基板的移动速度中的至少一者，或者所述处理时速度信息表示针对所述各喷嘴位置的每个位置或所述各基板位置的每个位置的、所述喷嘴与所述处理对象基板的相对移动速度。