[发明专利]半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：

衬底；

堆叠结构，设置于所述衬底上方，且包括交替层叠的绝缘层和栅极层，所述堆叠结构包括第一区域和第二区域，所述第一区域为虚拟区域，所述第二区域为器件区域；

第一栅线狭缝结构，垂直贯穿所述堆叠结构，且沿第一方向延伸，所述第一栅线狭缝结构位于所述第一区域；

第二栅线狭缝结构，垂直贯穿所述堆叠结构，且沿第二方向延伸，所述第二栅线狭缝结构位于所述第一区域，且所述第一区域和所述第二区域沿所述第二方向延伸；

其中，所述第一栅线狭缝结构包括多个间断的子栅线狭缝结构，所述第二栅线狭缝结构设置于所述子栅线狭缝结构的间断处，且在所述衬底平面内，所述第一方向与所述第二方向具有夹角。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二区域具有沿所述第一方向延伸的第三栅线狭缝结构，所述第三栅线狭缝结构用以将所述第二区域中的所述堆叠结构沿所述第二方向划分为多个块状结构。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一区域包括沿所述第一方向排列的第一存储区以及第一阶梯区，所述第二区域包括沿所述第一方向排列的第二存储区以及第二阶梯区。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第二栅线狭缝结构位于所述第一存储区。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第二栅线狭缝结构还位于所述第一阶梯区。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一栅线狭缝结构以及所述第二栅线狭缝结构的材料包括多晶硅以及钨。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一栅线狭缝结构以及所述第二栅线狭缝结构的材料还包括氧化铝以及氮化钛其中至少之一。

8.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成堆叠结构，所述堆叠结构包括交替层叠的绝缘层和牺牲层，所述堆叠结构包括第一区域和第二区域，所述第一区域为虚拟区域，所述第二区域为器件区域；

形成垂直贯穿所述堆叠结构、且沿第一方向延伸的第一栅线狭缝结构，所述第一栅线狭缝结构位于所述第一区域；

形成垂直贯穿所述堆叠结构、且沿第二方向延伸的第二栅线狭缝结构，所述第二栅线狭缝结构位于所述第一区域，且所述第一区域和所述第二区域沿所述第二方向延伸；

将所述牺牲层置换为栅极层；

其中，所述第一栅线狭缝结构包括多个间断的子栅线狭缝结构，所述第二栅线狭缝结构设置于所述子栅线狭缝结构的间断处，且在所述衬底平面内，所述第一方向与所述第二方向具有夹角。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在所述将所述牺牲层置换为栅极层的步骤之前，还包括：

在所述第二区域形成垂直贯穿所述堆叠结构、且沿所述第一方向延伸的第三栅线狭缝结构；

其中，所述第三栅线狭缝结构用以将所述第二区域中的所述堆叠结构沿所述第二方向划分为多个块状结构。