[发明专利]半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、提供一半导体衬底，所述衬底上依次形成有第一氧化物层和第一掩膜层；

步骤二、图案化蚀刻氧化物层至基底露出，形成凹陷；

步骤三、所述凹陷内形成有复合鳍型结构，所述复合鳍型结构为交替生长的第一鳍型层和第二鳍型层；

步骤四、在衬底表面形成有垂直于所述复合鳍型结构的伪栅极结构，在伪栅极上方覆盖有第二掩膜层，在伪栅极结构两侧形成有侧墙；

步骤五、刻蚀侧墙两侧的复合鳍型结构及第一氧化物层形成凹陷；

步骤六、对伪栅极底部的复合鳍型结构以及第一氧化物层进行部分刻蚀；

步骤七、在伪栅极底部的复合鳍型结构及第一氧化物层两侧形成阻挡层；

步骤八、在伪栅极底部的复合鳍型结构两侧的凹陷内外延生长源漏极；

步骤九、在步骤八之后的器件上覆盖一层第二氧化物层及第三掩膜层并平坦化处理至伪栅极顶部露出；

步骤十、蚀刻去除伪栅极；

步骤十一、蚀刻去除复合鳍型结构两侧的第一氧化物层；

步骤十二、选择性蚀刻去除复合鳍型结构中的第一鳍型层，形成悬空于基体上方的多层沟道结构；

步骤十三、依次在沟道外周沉积一高介电常数层和金属材料层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，

第一鳍型层的材料为锗硅，第二鳍型层的材料相对应的为硅。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，

所述步骤二中刻蚀至底部基体露出。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，

所述步骤七中通过原子层沉积及蚀刻工艺在伪栅极底部的复合鳍型结构及第一氧化物层两侧形成阻挡层。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，

所述步骤一中半导体衬底为单晶硅。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，

所述第一掩膜层为氮化硅，也可是氮化硅和氧化硅复合构成。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，

所述第一氧化物层为氧化硅。

8.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，

所述伪栅极为多晶硅。

9.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，

所述伪栅极侧墙为氮化硅。

10.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体衬底和依次形成于半导体衬底上的源漏掺杂层、氧化层和掩膜层；所述源漏掺杂层、氧化层和掩膜层沿垂直于半导体衬底表面方向形成有凹陷结构；所述凹陷结构终止至半导体衬底表面；

悬浮于半导体衬底上的鳍型结构，所述鳍型结构包括若干层沿垂直于半导体衬底表面方向重叠的第二鳍型层；所述第二鳍型层横跨所述凹陷结构形成沟道；在所述沟道外周还依次形成有高介电常数材料层和金属材料层；

侧墙，形成于所述鳍型结构上；

阻挡层，位于凹陷结构两侧，同时所述阻挡层位于所述若干层第二鳍型层之间，以及第二鳍型层与侧墙之间。