[发明专利]一种半导体制造设备

权利要求书

1.一种半导体制造设备，其特征在于，包括：

腔室，所述腔室包括：筒形的侧壁、与所述侧壁的底部端口连接的底壁以及位于所述侧壁的顶部端口的顶盖，所述侧壁、底壁与顶盖围成一容纳空间；

气体流动组件，其包括气流管和气流孔，所述气流孔设置在所述侧壁和/或底壁上，所述气流管的一端与所述气流孔连通，所述气流管的另一端与气体入口连通，使得提供的气体通过所述气体入口进入所述气流管和气流孔而流向所述容纳空间。

2.根据权利要求1所述的半导体制造设备，其特征在于，所述气流孔处设置有喷嘴，所述喷嘴与气流管的所述一端连接，使得所述气流管内流动的气体通过所述喷嘴喷向所述容纳空间。

3.根据权利要求2所述的半导体制造设备，其特征在于，所述气流管嵌设在所述侧壁和/或底壁的内部。

4.根据权利要求1所述的半导体制造设备，其特征在于，所述气流孔为多个，其均匀分布在所述侧壁和/或底壁上。

5.根据权利要求1所述的半导体制造设备，其特征在于，所述气流孔为多个，其呈对称式分布。

6.根据权利要求5所述的半导体制造设备，其特征在于，所述气体入口为多个，其呈对称式分布。

7.根据权利要求1所述的半导体制造设备，其特征在于，所述气体包括氮气、惰性气体或者压缩干燥空气。

8.根据权利要求1所述的半导体制造设备，其特征在于，所述气体入口与提供气体的设备连通，所述提供气体的设备与控制部件电连接，使得当所述半导体制造设备开始运行时，所述控制部件控制所述提供气体的设备开始提供气体。

9.根据权利要求1-8任一项所述的半导体制造设备，其特征在于，所述半导体制造设备为刻蚀设备，其还包括：

远程等离子体化学反应器，设置在所述顶盖上；

喷头，与所述远程等离子体化学反应器连通且设置在所述容纳空间；

真空管道，其一端与所述底壁上的一开口密闭连通，另一端连接真空泵。