[发明专利]一种半导体制造设备

说明书

本发明涉及一种半导体制造设备，包括：腔室，所述腔室包括：筒形的侧壁、与所述侧壁的底部端口连接的底壁以及位于所述侧壁的顶部端口的顶盖，所述侧壁、底壁与顶盖围成一容纳空间；气体流动组件，其包括气流管和气流孔，所述气流孔设置在所述侧壁和/或底壁上，所述气流管的一端与所述气流孔连通，所述气流管的另一端与气体入口连通，使得提供的气体通过所述气体入口进入所述气流管和气流孔而流向所述容纳空间。本发明能够防止残留物质形成颗粒或者粉状物，从而降低颗粒或者粉状物对半导体器件的损伤，提高了半导体器件的产品良率。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体制造设备。

背景技术

随着电子技术的迅速发展，半导体器件的尺寸不断小型化、集成度越来越高，这就要求制备半导体器件的企业不断提高半导体制造的能力。但是，在半导体器件的制造过程中，不可避免会对半导体器件产生污染，在半导体制造设备的腔室内对半导体器件进行处理时，必然会产生残留物质，形成粉状残留物，这些粉状残留物会落在半导体器件的表面，严重影响产品良率。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明的主要目的在于提供一种半导体制造设备，对现有半导体制造设备进行改进，设置气体流动装置，向腔室内提供气体，利用气体流动防止腔室内的残留物质发生沉积或堆积，减少晶片表面附着的颗粒污染物，从而提高产品良率。

为了实现以上目的，本发明提供了以下技术方案。

根据本发明的一个方面，提供了一种半导体制造设备，包括：

腔室，其包括：筒形的侧壁、与侧壁的底部端口连接的底壁以及位于侧壁的顶部端口的顶盖，侧壁、底壁与顶盖围成一容纳空间；

气体流动组件，其包括气流管和气流孔，气流孔设置在侧壁和/或底壁上，气流管的一端与气流孔连通，气流管的另一端与气体入口连通，使得提供的气体通过气体入口进入气流管和气流孔而流向容纳空间。

与现有技术相比，本发明达到了以下技术效果：在半导体制造设备上设置气体流动装置，向腔室内提供气体，利用气体流动防止腔室内的残留物质发生沉积或堆积，减少晶片表面附着的颗粒污染物，提高产品良率以及产品的厚度均匀性；同时，省去了对半导体制造设备的预防保养过程，提高了产品生产效率。

附图说明

通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：

图1示出了本发明实施例半导体制造设备的结构示意图。

【符号说明】

1-腔室，11-侧壁；12-底壁；13-顶盖；14-容纳空间；15-加热器；16-等离子体化学反应器；17-喷头；18-真空管道；

2-气体流动组件；21-喷嘴；22-气流管；23-入口。

具体实施方式

以下，将参照附图来描述本发明的实施例。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本发明的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本发明的概念。

在附图中示出了根据本发明实施例的各种结构示意图。这些图并非是按比例绘制的，其中为了清楚表达的目的，放大了某些细节，并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种区域、层的形状以及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的，实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差，并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的区域/层。