[发明专利]用于热敏相机焦距检测的标片制作方法、标片及检测方法有效
申请号: | 202011563370.8 | 申请日: | 2020-12-25 |
公开(公告)号: | CN112687567B | 公开(公告)日: | 2023-10-27 |
发明(设计)人: | 崔俊虎;袁地春;沈磊磊;丁建明;崔钟亨 | 申请(专利权)人: | 韩华新能源(启东)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L31/18 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 樊晓娜 |
地址: | 226200 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 热敏 相机 焦距 检测 制作方法 方法 | ||
本发明公开一种用于热敏相机焦距检测的标片的制作方法、标片及检测方法,第一方法制备标片:取正面镀膜工序前的硅片,在硅片正面中心沾金属粉末,然后对沾有金属粉末的硅片正面镀膜及多个工序处理,得到的电池片为标片,在加载反向电压下,标片的中心漏电;第二方法制备标片:在完成丝网印刷的硅片正面中心涂导电浆液或沾金属粉末,再经过烧结,得到的电池片为标片;第三方法制备标片:取完成边缘刻蚀的硅片,对硅片进行丝网印刷,再在硅片正面中心沾金属粉末或涂导电浆液,然后对硅片烧结,得到硅片为标片。本发明提供的标片在加载反向电压下其中心有漏电现象,能对应热敏相机图像的中心位置,能在轨道上正常传输,对热敏相机焦距确认更准确。
技术领域
本发明涉及光伏电池制造领域,尤其涉及一种用于热敏相机焦距检测的标片制作方法、标片及检测方法。
背景技术
太阳能电池片由于本身硅缺陷和在生产过程中产生的工艺缺陷和污染都有可能出现漏电现象,漏电的危害众所周知,为了消除这种隐患,在电池片测试分选工序会检测漏电流,将漏电流大的电池片归为不合格片,但仅仅采用漏电流区分不能完全排除漏电导致的组件热斑危害。采用热敏相机抓拍反偏电压下的电池片漏电热效应可进一步排除漏电危害,减小组件热斑隐患。热敏相机是否实现判定有非常多的影响因素,除了抓拍图像的完整性,还有抓拍图像清晰度。由于机械抖动、软件参数变动、人为误操作等情况可能导致相机焦距偏移,引起抓拍的图像不清晰,最终导出的测量数据不准确,电池片热斑检测失效。
为了消除上述影响,需要定期对热敏相机焦距进行确认。厂家提供的标片是一块四个角上有小热敏电阻的铜板,将铜板放在检测位置,下压探针加载电压,目测相机采集的图片。当四个热敏电阻处亮度一致时,判定相机焦距无异常;当4个热敏电阻处亮度不一致时,判定图像异常,需要调整相机焦距。但铜板有3个弊端:1)发热点小且分布四角,不利于观察,参见图5;2)铜板手动放置,每次铜板与探针接触位置不一致,导致每次测量结果有偏差;3)目检判定亮度,不同人检测结果有偏差。
发明内容
为了解决现有技术中存在的问题,本发明提供了一种用于热敏相机焦距检测的标片制作方法、标片及检测方法,所述技术方案如下:
本发明提供一种用于热敏相机焦距检测的标片的制作方法,以第一方法、第二方法和第三方法制备标片,包括如下步骤:
(1)第一方法制备标片:取经过前道工序且在正面镀膜工序前制备得到的硅片,在硅片正面中心位置沾金属粉末,然后对沾有金属粉末的硅片进行正面镀膜以及正面镀膜后的多个工序处理,制备得到的电池片为标片,在加载反向电压下,所述标片的中心位置漏电;
(2)第二方法制备标片:取经过前道工序且在完成丝网印刷的硅片正面中心位置涂覆预设厚度的导电浆液或沾金属粉末,再经过烧结,烧结后制备得到的电池片为标片,所述标片中心位置形成导电层,在加载反向电压下,所述标片的中心位置漏电;
(3)第三方法制备标片:取经过前道工序且完成边缘刻蚀后的硅片,省略正面镀膜工序,直接对硅片进行丝网印刷处理,再在制备得到的硅片正面中心位置沾金属粉末或涂覆预设厚度的导电浆液,然后对硅片进行烧结,烧结后制备得到的电池片为标片,在加载反向电压下,所述标片的中心位置漏电。
进一步地,所述第一方法、第二方法和第三方法中,所述金属粉末为铝粉或铁锈粉。
进一步地,所述第二方法和第三方法中,所述导电浆液为铝浆或银铝混合浆。
进一步地,所述第二方法和第三方法中,所述标片中心位置的导电浆液的厚度小于0.1mm。
进一步地,所述导电层为圆形、三角形、方形、菱形或任意形状结构。
进一步地,所述第一方法:硅片进行正面镀膜前的前道工序依次为制绒、扩散、边缘刻蚀、热氧化、背钝化;对硅片正面镀膜后的多个工序依次为激光、丝网印刷和烧结。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造