[发明专利]一种消除直流失调的单转差放大电路

权利要求书

1.一种消除直流失调的单转差放大电路，其特征在于，包括：

差分放大电路，其被配置为由其一个输入端接收一个输入信号INP，并通过放大该输入信号INP输出差分信号OUTP和差分信号OUTN；

比较放大电路，其被配置为接收所述差分信号OUTP和差分信号OUTN，通过比较该差分信号OUTP和差分信号OUTN的直流电平得到直流电平的参考信号INN，并将所述参考信号INN反馈至所述差分放大电路的另一个输入端。

2.如权利要求1所述的消除直流失调的单转差放大电路，其特征在于，所述差分放大电路包括单级或多级差分放大电路。

3.如权利要求2所述的消除直流失调的单转差放大电路，其特征在于，所述单级或多级放大差分电路中的第一级差分放大电路包括差分对管，所述差分对管中的一个晶体管的基极被配置为接收所述输入信号INP，另一个晶体管的基极被配置为接收所述参考信号INN。

4.如权利要求1所述的消除直流失调的单转差放大电路，其特征在于，所述比较放大电路包括两端输入单端输出的两级比较放大电路。

5.如权利要求4所述的消除直流失调的单转差放大电路，其特征在于，所述两级比较放大电路包括：

第一级比较放大电路，其包括第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M9、第一负载M3和第二负载M4，所述第一晶体管M1的第一端与所述差分放大电路的一个输出端相连，所述第二晶体管M2的第一端与所述差分放大电路的另一个输出端相连，所述第一晶体管M1的第三端和所述第二晶体管M2的第三端均与所述第三晶体管M9的第二端相连，所述第三晶体管M9的第一端接地，所述第三晶体管M9的第三端被配置为接收偏置电压Bias1，所述第一晶体管M1的第二端与所述第一负载M3的一端相连，所述第二晶体管M2的第二端与所述第二负载M4的一端相连，所述第一负载M3和所述第二负载M4的另一端相连；

第二级比较放大电路，其包括第四晶体管M8和第五晶体管M5，所述第四晶体管M8的第一端与所述第二晶体管M2的第二端相连，所述第四晶体管M8的第二端与所述第二负载M4的另一端相连，所述第四晶体管M8的第三端与所述第五晶体管M5的第二端和所述差分放大电路的另一个输入端均相连，所述第五晶体管M5的第三端接地，所述第五晶体管M5的第一端被配置为接收所述偏置电压Bias1。

6.如权利要求5所述的消除直流失调的单转差放大电路，其特征在于，所述第二级比较放大电路还包括第六晶体管M7和第七晶体管M6，所述第六晶体管M7和第七晶体管M6依次串接在所述第四晶体管M8和第五晶体管M5之间，所述第六晶体管M7的第一端被配置为接收所述偏置电压Bias3，所述第七晶体管M6的第一端被配置为接收所述偏置电压Bias2，所述第六晶体管M7的第三端和所述第七晶体管M6的第二端均与所述差分放大电路的另一个输入端相连。

7.如权利要求5所述的消除直流失调的单转差放大电路，其特征在于，所述第一负载M3为第八晶体管M3，所述第二负载M4为第九晶体管M4，所述第八晶体管M3的第三端和第一端均与所述第一晶体管M1的第二端相连，所述第八晶体管M3的第二端与所述第九晶体管M4的第二端和所述第四晶体管M8的第二端均相连，且所述第八晶体管M3的第二端被配置为接入正向电源Vcc，所述第九晶体管M4的第三端与所述第四晶体管M8的第一端和所述第二晶体管M2的第二端均相连。

8.如权利要求5所述的消除直流失调的单转差放大电路，其特征在于，所述第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M9和第五晶体管M5均为P沟道场效应管，所述第四晶体管M8为N沟道场效应管。

9.如权利要求1所述的消除直流失调的单转差放大电路，其特征在于，所述单转差放大电路还包括：

RC电路，其耦接于所述差分放大电路的差分输出端与所述比较反馈电路的差分输入端之间。

10.如权利要求9所述的消除直流失调的单转差放大电路，其特征在于，所述RC电路包括两个RC支路，所述RC支路包括负载R和电容C，所述负载R的一端连于所述差分放大电路的一个输出端，另一端与所述电容C和所述比较放大电路的一个输入端相连，所述电容C的另一端接地。