[发明专利]一种消除直流失调的单转差放大电路在审
申请号: | 202011563938.6 | 申请日: | 2020-12-25 |
公开(公告)号: | CN112787609A | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 李维忠;肖希;王磊;余少华 | 申请(专利权)人: | 武汉邮电科学研究院有限公司;武汉光谷信息光电子创新中心有限公司 |
主分类号: | H03F3/45 | 分类号: | H03F3/45;H03F1/32 |
代理公司: | 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) 42225 | 代理人: | 张凯 |
地址: | 430074 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 消除 直流 失调 单转差 放大 电路 | ||
本申请提供了一种消除直流失调的单转差放大电路,涉及电子电路技术领域,包括:差分放大电路,其被配置为由其一个输入端接收一个输入信号INP,并通过放大该输入信号INP输出差分信号OUTP和差分信号OUTN;比较放大电路,其被配置为接收所述差分信号OUTP和差分信号OUTN,通过比较该差分信号OUTP和差分信号OUTN的直流电平得到直流电平的参考信号INN,并将所述参考信号INN反馈至所述差分放大电路的另一个输入端。本申请消除单转差放大电路输出的直流偏差,以输出直流电平相同的差分信号OUTP和差分信号OUTN,提升信号的传输质量。
技术领域
本申请涉及电子电路技术领域,特别涉及一种消除直流失调的单转差放大电路。
背景技术
在电子通信中,常需要将信号放大处理,而差分信号以其抗干扰强,且能够有效抑制电磁辐射被广泛应用。而在单端输入、双端输出的差分电路中,单端信号转换为差分信号时容易出现输出的双端信号之间阻抗不平衡而导致直流失调的情况,从而影响后端的信号分析处理,降低信号的传输效率和系统的灵敏度、线性度等特性。
相关技术中,公开了一种单端输入双端输出的增益可调的低噪声放大器,包括:单端输入端、单转差放大电路、第一级缓冲电路、第二级缓冲电路、第一差分输出端和第二差分输出端。所述单端输入端用于输入单端输入信号;所述单转差放大电路用于对所述单端输入信号进行差分放大;所述第一级缓冲电路用于对所述单转差放大器输出的差分信号进行滤波和放大;所述第二级缓冲电路用于对所述第一级缓冲电路输出的差分信号进行进一步的放大以及相位和幅度调整;所述第一和第二差分输出端用于可选择地输出所述低噪声放大器的差分输出信号。
从该相关技术中,我们可以看出低噪声放大器的差分输出信号由单转差放大电路差分放大后,再通过第一级缓冲电路或第二级缓冲电路进一步放大降噪后输出,其具有输出信号平衡性的特点,然而仍然无法解决单转差放大电路中在输入交直流混合信号后产生的直流失调的问题。
发明内容
本申请实施例提供一种消除直流失调的单转差放大电路,以解决相关技术中单端转差分的电路中出现的直流失调引起的信号失真的问题。
本申请实施例提供了一种消除直流失调的单转差放大电路,包括:
差分放大电路,其被配置为由其一个输入端接收一个输入信号INP,并通过放大该输入信号INP输出差分信号OUTP和差分信号OUTN;
比较放大电路,其被配置为接收所述差分信号OUTP和差分信号OUTN,通过比较该差分信号OUTP和差分信号OUTN的直流电平得到直流电平的参考信号INN,并将所述参考信号INN反馈至所述差分放大电路的另一个输入端。
一些实施例中,所述差分放大电路包括单级或多级差分放大电路。
一些实施例中,所述单级或多级放大差分电路中的第一级差分放大电路包括差分对管,所述差分对管中的一个晶体管的基极被配置为接收所述输入信号INP,另一个晶体管的基极被配置为接收所述参考信号INN。
一些实施例中,所述比较放大电路包括两端输入单端输出的两级比较放大电路。
一些实施例中,所述两级比较放大电路包括:
第一级比较放大电路,其包括第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M9、第一负载M3和第二负载M4,所述第一晶体管M1的第一端与所述差分放大电路的一个输出端相连,所述第二晶体管M2的第一端与所述差分放大电路的另一个输出端相连,所述第一晶体管M1的第三端和所述第二晶体管M2的第三端均与所述第三晶体管M9的第二端相连,所述第三晶体管M9的第一端接地,所述第三晶体管M9的第三端被配置为接收偏置电压Bias1,所述第一晶体管M1的第二端与所述第一负载M3的一端相连,所述第二晶体管M2的第二端与所述第二负载M4的一端相连,所述第一负载M3和所述第二负载M4的另一端相连;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉邮电科学研究院有限公司;武汉光谷信息光电子创新中心有限公司,未经武汉邮电科学研究院有限公司;武汉光谷信息光电子创新中心有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011563938.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。