[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括:

衬底；

位于所述衬底上的栅极；

位于所述衬底上，并覆盖在所述栅极上的栅绝缘层；

位于所述栅绝缘层上的有源层；

以及，与所述有源层连接的源极和漏极；

其中，所述有源层采用具有p型半导体特性的多元硫化物二维纳米片薄膜制成。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层为含铜的多元硫化物二维纳米片薄膜。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层采用Cu₂FeSnS₄和CuSbS₂中至少一种材料。

4.根据权利要求1-3任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层的厚度为5-200nm。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极和所述漏极分别与所述有源层的两侧连接，并与所述衬底的上表面、所述栅绝缘层的上表面接触。

6.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在衬底上制备栅极；

在所述栅极表面制备栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上制备有源层；

在所述有源层的表面制备源极和漏极；

其中，所述有源层采用具有p型半导体特性的多元硫化物二维纳米薄膜制成。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在所述栅绝缘层上制备有源层的步骤，包括：

在所述栅绝缘层的上表面沉积p型Cu₂FeSnS₄二维纳米片薄膜；

进行退火处理。

8.根据权利要求6所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在所述栅绝缘层上制备有源层的步骤，包括：

在所述栅绝缘层的上表面旋涂p型Cu₂FeSnS₄纳米片乙醇溶液；

进行退火处理。

9.根据权利要求6所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在所述栅极表面制备栅绝缘层的步骤，包括：

在所述栅极表面通过阳极氧化或化学气相沉积的方法形成所述栅绝缘层。

10.根据权利要求6所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在所述有源层的表面制备源极和漏极的步骤，包括：

在所述有源层的上表面通过化学气象沉积或直流溅射的方法形成源极和漏极。