[发明专利]一种卷积神经网络最大池化层电路有效
| 申请号： | 202011564118.9 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN112633487B | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 蔡一茂;凌尧天;王宗巍;鲍盛誉;黄如 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G06N3/063 | 分类号： | G06N3/063 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 卷积 神经网络 最大 池化层 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种卷积神经网络最大池化层电路，包含两个选通器、一个模拟数字转化器和一个阻值变化单元，所述阻值变化单元的两端分别连接两个选通器的输出端，其中第一选通器至少具有两个输入端，一端接外部输入信号r1，另一端接地，而其控制端接外部控制信号c1；第二选通器至少具有两个输入端，一端接前端电路的阻值变化单元交叉阵列中一根位线的输出，另一端接地，其控制端接外部控制信号c1的逻辑取反信号；所述模拟数字转化器的模拟输入端与第二选通器的输出端相连，输出为数字信号，模拟数字转化器的控制端连外部控制信号c2；在两个选通器的控制端之间连入一个反相器，该反相器的输入外接控制信号c1，输出连接第二选通器的控制端。
2.如权利要求1所述的卷积神经网络最大池化层电路，其特征在于，所述第一选通器和第二选通器均为2选1选通器。
3.如权利要求1所述的卷积神经网络最大池化层电路，其特征在于，所述模拟数字转化器的精度为4 bit到16 bit。
4.如权利要求1所述的卷积神经网络最大池化层电路，其特征在于，所述阻值变化单元选自下列器件或电路中的一种：相变存储器、电阻式RAM、导电桥接RAM、铁电RAM、铁电晶体管RAM、磁阻RAM、磁隧道结。
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