[发明专利]薄膜晶体管的制作方法和显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

在基板上形成金属层；

形成覆盖所述金属层的光刻胶，通过光刻方式除去部分所述光刻胶，形成被剩余的所述光刻胶覆盖的遮挡区和暴露所述金属层的非遮挡区；

在所述非遮挡区进行离子注入，以增强所述金属层在所述非遮挡区中与所述遮挡区相邻的位置处的耐腐蚀性，所述离子注入使得所述金属层表面形成离子注入层，所述离子注入层的厚度从所述非遮挡区的边缘向中部逐渐减小，所述离子注入所采用的离子包括Ti离子、N离子或C离子中的至少一者；

对所述非遮挡区的所述金属层进行腐蚀，使剩余的所述金属层形成栅极；

制作栅极绝缘层、源极和漏极，以得到所述薄膜晶体管。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述离子注入包括利用电场或磁场使离子束偏转，以使所述离子束轰击所述金属层表面。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述离子注入的注入剂量为(1～6)*10¹⁸cm^-2。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述离子注入的离子能量为10KeV～50KeV。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述栅极在宽度方向上的两侧分别形成坡面，所述坡面与所述栅极的上表面之间的夹角大于120°。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述离子注入层的厚度与离子能量呈正相关。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述金属层的材料包括Au、Mo、Al、Cu中的至少一种。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述金属层的材料包括Al和Mo，对所述非遮挡区的所述金属层进行腐蚀所采用的腐蚀剂包括盐酸和氢氟酸。

9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-8中任一项所述的制作方法制得的薄膜晶体管。