[发明专利]薄膜晶体管的制作方法和显示装置

说明书

本申请提供了一种薄膜晶体管的制作方法和显示装置，涉及半导体领域。本申请提供的制作方法，通过在金属层上形成图形化的光刻胶。然后对去除了光刻胶的非遮挡区的金属层进行离子注入，增加非遮挡区中与遮挡区相邻的位置处的金属层的耐腐蚀性。这样使得后续进行腐蚀后，最终剩余的金属层所形成栅极的边缘具有平缓的斜坡，与基板的接触角比较小。在后续铺设栅极绝缘层之后，栅极绝缘层在铺设时厚度比较均匀，栅极的边缘与源极或者漏极之间不容易形成薄弱区域，从而降低了被击穿的风险，因此提高了薄膜晶体管的稳定性和寿命。显示装置包括了上述制作方法制得的薄膜晶体管，因此也具有性能稳定、寿命长的特点。

技术领域

本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种薄膜晶体管的制作方法和显示装置。

背景技术

TFT(Thin Film Transistor)技术是采用新材料和新工艺的大规模半导体全集成电路制造技术，是液晶、无机和有机薄膜电致发光平板显示器的基础。其中的薄膜晶体管器件(TFT)是用于驱动像素点以实现显示功能的重要器件。但是现有的薄膜晶体管的制作工艺，容易使制成的薄膜晶体管出现薄弱点，在施加电压的情况下，容易导致器件击穿，从而影响器件的稳定性和寿命。

发明内容

本申请的目的包括，提供了一种薄膜晶体管的制作方法，其能够制作出性能稳定、寿命长的薄膜晶体管。本申请实施例还提供一种显示装置，包括上述的薄膜晶体管。

本申请的实施例可以这样实现：

第一方面，本申请提供一种薄膜晶体管的制作方法，包括：

在基板上形成金属层；

形成覆盖金属层的光刻胶，通过光刻方式除去部分光刻胶，形成被剩余的光刻胶覆盖的遮挡区和暴露金属层的非遮挡区；

在非遮挡区进行离子注入，以增强金属层在非遮挡区中与遮挡区相邻的位置处的耐腐蚀性；

对非遮挡区的金属层进行腐蚀，使剩余的金属层形成栅极；

制作栅极绝缘层、源极和漏极，以得到薄膜晶体管。

在可选的实施方式中，离子注入所采用的离子包括Ti离子、N离子或C离子中的至少一者。

在可选的实施方式中，离子注入包括利用电场或磁场使离子束偏转，以使离子束的轰击金属层表面。可选的，轰击方向与金属层表面呈预设倾角，离子束倾斜地朝向剩余的光刻胶与非遮挡区相邻的侧壁。

在可选的实施方式中，离子注入的注入剂量为(1～6)*10¹⁸cm^-2。

在可选的实施方式中，离子注入的离子能量为10KeV～50KeV。

在可选的实施方式中，栅极在宽度方向上的两侧分别形成坡面，坡面与栅极的上表面之间的夹角大于120°。

在可选的实施方式中，离子注入使得金属层表面形成离子注入层，离子注入层的厚度与离子能量呈正相关，离子注入层的厚度从非遮挡区的边缘向中部逐渐减小。

在可选的实施方式中，金属层的材料包括Au、Mo、Al、Cu中的至少一种。

在可选的实施方式中，金属层的材料包括Al和Mo，对非遮挡区的金属层进行腐蚀所采用的腐蚀剂包括盐酸和氢氟酸。

第二方面，本申请提供一种显示装置，包括前述实施方式中任一项的制作方法制得的薄膜晶体管。

本申请实施例的有益效果包括：