[发明专利]一种晶片表面污染清洗方法在审
| 申请号： | 202011573209.9 | 申请日： | 2020-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN112837995A | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 吴镐硕;朴灵绪 | 申请（专利权）人： | 苏州恩腾半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 苏州铭浩知识产权代理事务所(普通合伙) 32246 | 代理人： | 朱斌兵 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶片 表面 污染 清洗 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶片表面污染清洗方法，其特征在于包括下述步骤：
步骤A、将晶片置于常温下的超纯水中清洗；
步骤B、将所述晶片移至氨水、双氧水混合溶液中进行超声波清洗，温度控制在60-70°C；
步骤C、将所述晶片移至常温的超纯水中漂洗；
步骤D、将所述晶片移至盐酸、双氧水混合溶液中进行清洗，温度为常温；
步骤E、将所述晶片移至常温的超纯水中进行超声波漂洗，所述超纯水内含有10-20PPM浓度的臭氧；
步骤F、将所述晶片进行干燥。
2.根据权利要求1所述的晶片表面污染清洗方法，其特征在于：所述步骤A、B、C、D、E的清洗时间为300秒或更长时间。
3.据权利要求1所述的晶片表面污染清洗方法，其特征在于：步骤C和步骤D之间，还包括步骤G，所述步骤G为将所述晶片移至常温的超纯水中漂洗，时间为300秒或更长时间。
4.据权利要求1所述的晶片表面污染清洗方法，其特征在于：步骤E和步骤F之间，还包括步骤H，所述步骤H为将所述晶片移至常温的超纯水中漂洗，时间为300秒或更长时间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
