[发明专利]一种晶片表面污染清洗方法

说明书

本发明公开了一种晶片表面污染清洗方法，包括下述步骤：将晶片置于常温下的超纯水中清洗；将所述晶片移至氨水、双氧水混合溶液中进行超声波清洗，温度控制在60‑70°C；将所述晶片移至常温的超纯水中漂洗等，该晶片表面污染清洗方法使用臭氧来进行晶片的最后洗涤，跟以往清洗方法相比减少了化学液H2SO4、HCl、HF及NH4OH的使用量，减轻了对后续废液处理的难度，同时采用该方法表现出更好的洁净效果。

技术领域

本发明涉及一种晶片表面污染清洗方法，属于半导体制造技术领域。

背景技术

随着设备的微细化和高集成化的发展，晶片表面污染对制造、设备特性和可靠性产生的影响正在逐渐扩大。另外，随着设备加工环境也变得复杂，污染物的清除变得更加困难。

很多电子器件分析数字显示，在不良原因中，70%以上是因为表面污染。目前制造设备最关心的是能控制晶片表面的污染到什么程度，最大的难关是消除污染物。

目前晶片及半导体制造工艺使用的湿洗工艺使用的是1970年代Kern提出的RCA洗涤方法。湿洗法对从硅表面去除粒子、金属杂质和自然氧化膜很有效，与其他清洁方法相比具有较高的生产率。尽管如此，由于RCA清洗方法仍然使用了大量的化学清洗剂，所以存在着化学废水处理难以及环境管制等问题。

发明内容

针对上述存在的技术问题，本发明的目的是：提出了一种晶片表面污染清洗方法。

本发明的技术解决方案是这样实现的：一种晶片表面污染清洗方法，包括下述步骤：

步骤A、将晶片置于常温下的超纯水中清洗；

步骤B、将所述晶片移至氨水、双氧水混合溶液中进行超声波清洗，温度控制在60-70°C；

步骤C、将所述晶片移至常温的超纯水中漂洗；

步骤D、将所述晶片移至盐酸、双氧水混合溶液中进行清洗，温度为常温；

步骤E、将所述晶片移至常温的超纯水中进行超声波漂洗，所述超纯水内含有10-20PPM浓度的臭氧；

步骤F、将所述晶片进行干燥。

优选的，所述步骤A、B、C、D、E的清洗时间为300秒或更长时间。

优选的，步骤C和步骤D之间，还包括步骤G，所述步骤G为将所述晶片移至常温的超纯水中漂洗，时间为300秒或更长时间。

优选的，步骤E和步骤F之间，还包括步骤H，所述步骤H为将所述晶片移至常温的超纯水中漂洗，时间为300秒或更长时间。

本晶片表面污染清洗方法使用臭氧来进行晶片的最后洗涤，跟以往清洗方法相比减少了化学液H2SO4、HCl、HF及NH4OH的使用量，减轻了对后续废液处理的难度，同时采用该方法表现出更好的洁净效果。

附图说明

下面结合附图对本发明技术方案作进一步说明：

附图1为本发明在清洗不同晶片时的清洗效率图；

具体实施方式

下面结合附图来说明本发明。

本发明的技术解决方案是这样实现的：

实施例1，包括下述步骤：

步骤A、将晶片置于常温下的超纯水中清洗，清洗时间为300秒；

步骤B、将所述晶片移至氨水、双氧水混合溶液中进行超声波清洗，温度控制在60-70°C，清洗时间为300秒；

步骤C、将所述晶片移至常温的超纯水中漂洗，清洗时间为300秒；

步骤D、将所述晶片移至盐酸、双氧水混合溶液中进行清洗，温度为常温，清洗时间为300秒；

步骤E、将所述晶片移至常温的超纯水中进行超声波漂洗，所述超纯水内含有10-20PPM浓度的臭氧，清洗时间为300秒；