[发明专利]半导体封装方法、半导体组件以及包含其的电子设备

权利要求书

1.一种半导体封装方法，包括：

S310：提供多个半导体器件和第一载板，其中所述半导体器件分别具有彼此相对的有源表面和无源表面，所述有源表面上形成有连接端子，所述无源表面上形成有多个第一对准焊接部，且所述第一载板上形成有与所述多个第一对准焊接部分别对应的多个第二对准焊接部；

S320：将所述多个半导体器件放置在所述第一载板上，使得所述多个第一对准焊接部与所述多个第二对准焊接部基本对准；

S330：通过对所述多个第一对准焊接部和所述多个第二对准焊接部进行焊接来形成多个对准焊点，使得所述多个半导体器件精确对准并固定至所述第一载板；

S340：在所述多个半导体器件的所述有源表面上贴附第二载板后，移除所述第一载板；

S350：在所述第二载板的所述多个半导体器件所在侧进行塑封以形成包覆所述多个半导体器件的塑封体；以及

S360：移除所述第二载板以使所述塑封体暴露所述连接端子；

所述S330包括：在所述多个半导体器件与所述第一载板形成精确对准但所述多个对准焊点仍处于熔融或部分熔融状态时，利用压平板对所述多个半导体器件的所述有源表面进行压平处理，使得所述多个半导体器件的所述有源表面基本位于与所述第一载板平行的同一平面内，直至所述对准焊点基本凝固，然后移除所述压平板；

在所述S330后，所述半导体封装方法还包括：将包括所述多个半导体器件与所述第一载板的整体进行翻转，使得所述有源表面朝向下方，且再次使所述多个对准焊点熔融或部分熔融后进行降温凝固；其中，再次熔融或部分熔融的所述对准焊点因所述半导体器件的重量而拉长，以改善自对准精度。

2.如权利要求1所述的半导体封装方法，其中所述半导体封装方法在所述S330和所述S340之间还包括：再次使所述对准焊点熔融或部分熔融后，利用压平板对所述多个半导体器件的所述有源表面进行压平处理，使得所述多个半导体器件的所述有源表面基本位于与所述第一载板平行的同一平面内，直至所述对准焊点基本凝固，然后移除所述压平板。

3.如权利要求1所述的半导体封装方法，其中所述S340包括：在移除所述第一载板之前，将所述多个半导体器件、所述第一载板和所述第二载板作为整体进行翻转。

4.如权利要求1所述的半导体封装方法，其中所述S350包括：在进行塑封之前，将所述多个半导体器件和所述第二载板作为整体进行翻转。

5.如权利要求1所述的半导体封装方法，其中所述S360包括：在移除所述第二载板之前，将包覆有多个半导体器件的所述塑封体和所述第二载板作为整体进行翻转。

6.如权利要求1所述的半导体封装方法，其中在所述S360之后还包括S370：在所述塑封体暴露所述连接端子的表面上依次形成互连层和外部端子，使得所述连接端子通过所述互连层电连接至所述外部端子。

7.如权利要求6所述的半导体封装方法，其中所述S370包括：在形成所述互连层和所述外部端子之前，将包覆有多个半导体器件的所述塑封体进行翻转。

8.如权利要求1所述的半导体封装方法，其中所述多个第一对准焊接部和所述多个第二对准焊接部中的任一者具有对准焊接凸点的形态，且另一者具有与所述对准焊接凸点对应的对准焊盘的形态；或者所述多个第一对准焊接部和所述多个第二对准焊接部均具有对准焊接凸点的形态。

9.如权利要求8所述的半导体封装方法，其中所述对准焊接凸点由焊锡制成，且所述焊接通过熔融焊锡来进行。

10.如权利要求9所述的半导体封装方法，其中在所述S310中，在所述多个第一对准焊接部和/或第二对准焊接部上预先涂有粘性助焊剂，且所述S330包括：在进行所述焊接之前，将包括所述多个半导体器件与所述第一载板的整体进行翻转，以使得所述多个半导体器件的所述有源表面向下。