[发明专利]一种集成多晶硅二极管的LED结构在审
| 申请号： | 202011575193.5 | 申请日： | 2020-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN112542481A | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 孙山峰 | 申请（专利权）人： | 无锡新仕嘉半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/00 |
| 代理公司： | 无锡智麦知识产权代理事务所(普通合伙) 32492 | 代理人： | 宋春荣 |
| 地址： | 214000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 集成 多晶 二极管 led 结构 | ||
1.一种集成多晶硅二极管的LED结构，其特征在于：包括有源介质，所述有源介质的外层设有内绝缘层(5)和设于所述内绝缘层(5)外侧的外绝缘层(12)，所述内绝缘层(5)和所述外绝缘层(12)之间设有多晶硅二极管。
2.根据权利要求1所述的一种集成多晶硅二极管的LED结构，其特征在于：所述多晶硅二极管包括一P型多晶硅(8)和一N型多晶硅(9)，所述P型多晶硅(8)和所述N型多晶硅(9)同一层设置且相互之间连接。
3.根据权利要求2所述的一种集成多晶硅二极管的LED结构，其特征在于：所述内绝缘层(5)的一端设有一突出部(51)，所述突出部(51)向所述有源介质内部伸入，所述内绝缘层(5)的外侧设有一负极金属层(6)，所述负极金属层(6)上设有一凸块(61)，所述凸块(61)伸入到所述突出部(51)内与所述有源介质的内层接触。
4.根据权利要求3所述的一种集成多晶硅二极管的LED结构，其特征在于：所述负极金属层(6)的另一侧与所述P型多晶硅(8)接触。
5.根据权利要求4所述的一种集成多晶硅二极管的LED结构，其特征在于：所述外绝缘层(12)上贯穿设有负极焊盘(10)，所述负极焊盘(10)的内侧面与所述P型多晶硅(8)接触，外侧面外突于所述外绝缘层(12)。
6.根据权利要求5所述的一种集成多晶硅二极管的LED结构，其特征在于：所述内绝缘层(5)的另一端贯穿设有正极金属层(7)，所述正极金属层(7)的内侧面与所述有源介质的外层相接触，外侧面与所述N型多晶硅(9)相接触。
7.根据权利要求6所述的一种集成多晶硅二极管的LED结构，其特征在于：所述外绝缘层(12)上贯穿设有正极焊盘(11)，所述正极焊盘(11)的内侧面与所述N型多晶硅(9)接触，外侧面外突于所述外绝缘层(12)。
8.根据权利要求7所述的一种集成多晶硅二极管的LED结构，其特征在于：所述有源介质介质包括依次设置的氮化镓外延P型层(4)、氮化镓外延发光层(3)、氮化镓外延N型层(2)，所述氮化镓外延P型层(4)为外层，所述氮化镓外延N型层(2)为内层。
9.根据权利要求8所述的一种集成多晶硅二极管的LED结构，其特征在于：所述氮化镓外延N型层(2)上设有蓝宝石衬底。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
