[发明专利]一种集成多晶硅二极管的LED结构

说明书

本发明公开了一种集成多晶硅二极管的LED结构，包括有源介质，所述有源介质的外层设有内绝缘层和设于所述内绝缘层外侧的外绝缘层，所述内绝缘层和所述外绝缘层之间设有多晶硅二极管。所述多晶硅二极管包括一P型多晶硅和一N型多晶硅，所述P型多晶硅和所述N型多晶硅同一层设置且相互之间连接。本发明采用多晶硅二极管作为保护器件，在芯片制造阶段，将多晶硅二极管集成在LED芯片上，减少封装阶段的物料和工艺流程，降低成本。

技术领域

本发明涉及LED，具体是一种集成多晶硅二极管的LED结构。

背景技术

抗静电冲击能力是其中一个重要指标，现有LED芯片典型的抗静电冲击能力正反向差异很大，比较好的LED芯片二极管正向抗静电冲击可以达到3000V以上，而二极管方向的抗静电冲击能力小于2000V，正反向差异达到三分之一以上。在实际应用中，常常因为反向抗静电能力不够而失效。

现有技术是在LED封装环节，将保护二极管和LED芯片封装在同一个框架内，工艺流程繁琐，价格高，电极连接通过焊线实现，可靠性差。

发明内容

为解决上述现有技术的缺陷，本发明提供一种集成多晶硅二极管的LED结构，本发明采用多晶硅二极管作为保护器件，在芯片制造阶段，将多晶硅二极管集成在LED芯片上，减少封装阶段的物料和工艺流程，降低成本。

为实现上述技术目的，本发明采用如下技术方案：一种集成多晶硅二极管的LED结构，包括有源介质，所述有源介质的外层设有内绝缘层和设于所述内绝缘层外侧的外绝缘层，所述内绝缘层和所述外绝缘层之间设有多晶硅二极管。

进一步地，所述多晶硅二极管包括一P型多晶硅和一N型多晶硅，所述P型多晶硅和所述N型多晶硅同一层设置且相互之间连接。

进一步地，所述内绝缘层的一端设有一突出部，所述突出部向所述有源介质内部伸入，所述内绝缘层的外侧设有一负极金属层，所述负极金属层上设有一凸块，所述凸块伸入到所述突出部内与所述有源介质的内层接触。

进一步地，所述负极金属层的另一侧与所述P型多晶硅接触。

进一步地，所述外绝缘层上贯穿设有负极焊盘，所述负极焊盘的内侧面与所述P型多晶硅接触，外侧面外突于所述外绝缘层。

进一步地，所述内绝缘层的另一端贯穿设有正极金属层，所述正极金属层的内侧面与所述有源介质的外层相接触，外侧面与所述N型多晶硅相接触。

进一步地，所述外绝缘层上贯穿设有正极焊盘，所述正极焊盘的内侧面与所述N型多晶硅接触，外侧面外突于所述外绝缘层。

进一步地，所述有源介质介质包括依次设置的氮化镓外延P型层、氮化镓外延发光层、氮化镓外延N型层，所述氮化镓外延P型层为外层，所述氮化镓外延N型层为内层。

进一步地，所述氮化镓外延N型层上设有蓝宝石衬底。

综上所述，本发明取得了以下技术效果：

本发明在LED芯片内部多晶硅二极管，替代传统应用中通过封装技术集成的保护二极管，保护LED芯片主芯片反方向不会被高压静电打坏而失效。

附图说明

图1是现有技术结构示意图；

图2是本发明实施例提供的LED结构示意图。

具体实施方式

以下结合附图对本发明作进一步详细说明。

本具体实施例仅仅是对本发明的解释，其并不是对本发明的限制，本领域技术人员在阅读完本说明书后可以根据需要对本实施例做出没有创造性贡献的修改，但只要在本发明的权利要求范围内都受到专利法的保护。

实施例：