[发明专利]氮化镓器件特性的调制方法和结构在审
申请号: | 202011575949.6 | 申请日: | 2020-12-28 |
公开(公告)号: | CN112687569A | 公开(公告)日: | 2021-04-20 |
发明(设计)人: | 杨铭;季启政;袁亚飞;高志良;梅高峰;张宇;冯娜;韩炎晖 | 申请(专利权)人: | 北京东方计量测试研究所 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L29/20;H01L29/778 |
代理公司: | 北京善任知识产权代理有限公司 11650 | 代理人: | 张振伟 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氮化 器件 特性 调制 方法 结构 | ||
1.一种氮化镓器件特性的调制方法,其特征在于,包括:
对氮化镓器件施加外界电场,其中,所述外界电场耦合作用于所述氮化镓器件;
通过变化所述外界电场的强度和方向对所述氮化镓器件的特性进行调制。
2.如权利要求1所述的氮化镓器件特性的调制方法,其特征在于,所述对氮化镓器件施加外界电场,包括:
在已封装的所述氮化镓器件的预设范围内设置第一极板和第二极板,其中,所述第一极板接地;
给所述第二极板供电,所述第一极板和所述第二极板之间产生外界电场,以使所述外界电场作用于已封装的所述氮化镓器件。
3.如权利要求2所述的氮化镓器件特性的调制方法,其特征在于,所述在已封装的所述氮化镓器件的预设范围内设置第一极板和第二极板,包括:
在已封装的所述氮化镓器件的上方且与已封装的所述氮化镓器件的上表面间隔第一预设距离处设置第一极板,以及在已封装的所述氮化镓器件的衬底下方且与所述衬底间隔第二预设距离处设置第二极板。
4.如权利要求1所述的氮化镓器件特性的调制方法,其特征在于,所述对氮化镓器件施加外界电场,包括:
在制备氮化镓器件时,在所述氮化镓器件的衬底上沉积金属电极;
给所述金属电极供电产生外界电场,以使所述外界电场作用于所述氮化镓器件;其中,所述氮化镓器件的源极作为公共端接地。
5.如权利要求1所述的氮化镓器件特性的调制方法,其特征在于,所述通过变化所述外界电场的强度和方向对所述氮化镓器件的特性进行调制,包括:
通过变化所述外界电场的强度和方向,调制所述氮化镓器件的极化电荷分布、二维电子气分布、载流子输运特性、频率特性、耐压特性和阈值电压等特性中的至少一种。
6.如权利要求1所述的氮化镓器件特性的调制方法,其特征在于,所述氮化镓器件特性的调制方法是一种场作用方法,能与氟离子注入调制法、钝化层结构调制法和V型栅结构调制法中的至少一种进行联合作用,对所述氮化镓器件的特性进行调制。
7.如权利要求1所述的氮化镓器件特性的调制方法,其特征在于,所述氮化镓器件包括:
衬底、氮化镓层、势垒层、源极、栅极和漏极;所述氮化镓层与所述势垒层之间还包括氮化铝插层;
其中,所述势垒层为氮化铝镓、氮化铟镓和氮化铝中的任意一种类型。
8.一种氮化镓器件特性的调制结构,其特征在于,包括:
产生外界电场的结构;
氮化镓器件;其中,所述氮化镓器件设置在所述外界电场内。
9.如权利要求8所述的氮化镓器件特性的调制结构,其特征在于,所述产生外界电场的结构包括:设置在已封装的所述氮化镓器件的预设范围内的第一极板和第二极板,所述第一极板接地;
其中,给所述第二极板供电,所述第一极板和所述第二极板之间产生外界电场,以使所述外界电场作用于已封装的所述氮化镓器件。
10.如权利要求8所述的氮化镓器件特性的调制结构,其特征在于,所述产生外界电场的结构包括:
在氮化镓器件衬底上沉积的金属电极;
给所述金属电极供电产生外界电场,以使所述外界电场作用于所述氮化镓器件;其中,所述氮化镓器件的源极作为公共端接地。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造