[发明专利]NOR Flash的工艺方法在审
| 申请号： | 202011576202.2 | 申请日： | 2020-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN112735950A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 齐翔羽;李志林;顾林;何应春 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | nor flash 工艺 方法 | ||
1.一种NOR Flash的工艺方法，其特征在于：包含：首先在衬底上进行多晶硅沉积，然后进行光刻及刻蚀形成控制栅，再刻蚀形成存储管栅极，进行N/P型LDD 离子注入；形成自对准多晶硅源极；
在自对准多晶硅源极两侧沉积氧化层形成自对准多晶硅源极的侧墙并进行1000摄氏度温度下的高温热退火；沉积形成接触孔侧墙，完成重掺杂离子注入以及热退火。
2.如权利要求1所述的NOR Flash的工艺方法，其特征在于：所述的自对准多晶硅源极两侧沉积氧化层以及1000摄氏度高温热退火时，高温过程对自对准多晶硅源极同步形成热退火效应。
3.如权利要求2所述的NOR Flash的工艺方法，其特征在于：所述自对准多晶硅源极在高温下多晶硅晶粒增大，电阻减小，载流子迁移速率增大，提高器件速度。
4.如权利要求1所述的NOR Flash的工艺方法，其特征在于：所述衬底为硅衬底，或者是锗硅、砷化镓衬底。
5.如权利要求1所述的NOR Flash的工艺方法，其特征在于：所述重掺杂离子注入以自对准多晶硅源极两侧的侧墙为遮挡形成自对准离子注入。
6.如权利要求1所述的NOR Flash的工艺方法，其特征在于：所述的对自对准多晶硅源极的侧墙进行1000摄氏度温度下的退火，能增加侧墙的厚度。
7.如权利要求1所述的NOR Flash的工艺方法，其特征在于：所述自对准多晶硅源极的侧墙采用快速热氧化法形成工艺制备。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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