[发明专利]多平面微阵列

权利要求书

1.一种阵列，包括：

固体载体；

沿着固体载体的外表面定位的第一特征图案；

沿着固体载体的外表面定位并与第一特征图案交错的第二特征图案；

其中，第一特征图案包括柱，第二特征图案包括井；

其中，第一特征图案的柱在第一高度z1处具有顶部，第二特征图案的井在不同于z1的第二高度z2处具有底部，

其中，第一特征图案的柱和第二特征图案的井各自包括用于分析物的附接点，第一特征图案的柱被配置为将分析物附接在相对于附接到第二特征图案的井的分析物的不同高度处，

其中，第二特征图案的最近邻井与第一特征图案的每个柱在交错图案中，第二特征图案的每个最近邻井与第一特征图案的对应最近邻柱的间距小于500nm，并且

其中，第一特征图案中的最近邻柱具有大于500nm的间距。

2.根据权利要求1所述的阵列，其中，第一特征图案包括柱的重复的特征图案，并且其中，第二特征图案包括井的重复的特征图案。

3.根据权利要求1所述的阵列，其中，每个井占据小于1μm²的面积。

4.根据权利要求1所述的阵列，其中，z1和z2相隔至少2μm。

5.根据权利要求1所述的阵列，其中，能够附接到分析物的材料存在于每个井处。

6.根据权利要求1所述的阵列，其中，第一特征图案的柱与第二特征图案的井间隔开。

7.根据权利要求1所述的阵列，其中，第一特征图案的柱与第二特征图案的井相邻。

8.一种阵列，包括：

固体载体；

沿着固体载体的外表面定位的第一特征图案；

沿着固体载体的外表面定位并与第一特征图案交错的第二特征图案；

其中，第一特征图案包括第一柱且第二特征图案包括第二柱；

其中，第一特征图案的柱在第一高度z1处具有顶部，第二特征图案的第二柱在不同于z1的第二高度z2处具有顶部，

其中，第一特征图案的第一柱和第二特征图案的第二柱各自包括用于分析物的附接点，第一特征图案的第一柱被配置为将分析物附接在相对于附接到第二特征图案的第二柱的分析物的不同高度处，

其中，第二特征图案的最近邻第二柱与第一特征图案的每个第一柱的最近邻第二柱在交错图案中，第二特征图案的每个最近邻第二柱与第一特征图案的对应最近邻第一柱的间距小于500nm，并且

其中，第一特征图案中的最近邻第一柱具有大于500nm的间距。

9.根据权利要求8所述的阵列，其中，第一特征图案包括第一柱的重复的特征图案，并且其中，第二特征图案包括第二柱的重复的特征图案。

10.根据权利要求8所述的阵列，其中，每个柱占据小于1μm²的面积。

11.根据权利要求8所述的阵列，其中，z1和z2相隔至少2μm。

12.根据权利要求8所述的阵列，其中，能够附接到分析物的材料存在于每个第一柱处。

13.根据权利要求8所述的阵列，其中，第一特征图案的第一柱与第二特征图案的第二柱间隔开。