[发明专利]电压跟踪电路及其操作方法

权利要求书

1.一种电压跟踪电路，包括：

第一晶体管，位于第一阱中，所述第一晶体管包括第一栅极端子、第一漏极端子和第一源极端子，所述第一源极端子耦合至第一电压源，所述第一栅极端子耦合至焊盘电压端子并且被配置为接收焊盘电压；

第二晶体管，包括第二栅极端子、第二漏极端子和第二源极端子，所述第二源极端子耦合至所述第一漏极端子，所述第二栅极端子耦合至所述第一栅极端子和所述焊盘电压端子；

第三晶体管，包括第三栅极端子、第三漏极端子和第三源极端子，所述第三栅极端子耦合至所述第一电压源；以及

第四晶体管，包括第四栅极端子、第四漏极端子和第四源极端子，所述第四漏极端子耦合至所述第三源极端子，所述第四栅极端子耦合至所述第三栅极端子和所述第一电压源，并且所述第四源极端子耦合至所述焊盘电压端子，

其中，至少所述第三晶体管在与所述第一阱不同的第二阱中，并且所述第二阱沿第一方向与所述第一阱分离。

2.根据权利要求1所述的电压跟踪电路，其中

所述第一晶体管还包括第一主体端子，所述第一主体端子耦合至所述第一电压源和所述第一源极端子；

所述第二晶体管还包括第二主体端子；

所述第三晶体管还包括第三主体端子；

所述第四晶体管还包括第四主体端子；

所述第二主体端子、所述第三主体端子、所述第四主体端子、所述第二漏极端子和所述第三漏极端子中的每个耦合在一起；并且

所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管在所述第二阱中。

3.根据权利要求1所述的电压跟踪电路，其中

所述第二晶体管在所述第二阱中；并且

所述第四晶体管在与所述第一阱和所述第二阱不同的第三阱中，并且所述第三阱沿所述第一方向与所述第一阱和所述第二阱分离。

4.根据权利要求3所述的电压跟踪电路，其中

所述第一晶体管还包括第一主体端子，所述第一主体端子耦合至所述第一电压源和所述第一源极端子；

所述第二晶体管还包括第二主体端子；

所述第三晶体管还包括第三主体端子；

所述第四晶体管还包括耦合至节点的第四主体端子；

所述第二主体端子、所述第三主体端子、所述第二漏极端子和所述第三漏极端子中的每个耦合在一起。

5.根据权利要求1所述的电压跟踪电路，还包括：

第五晶体管，包括第五栅极端子、第五漏极端子和第五源极端子，所述第五源极端子耦合至所述第二漏极端子，所述第五栅极端子耦合至所述第一栅极端子、所述第二栅极端子和所述焊盘电压端子；和

第六晶体管，包括第六栅极端子、第六漏极端子和第六源极端子，所述第六源极端子耦合至所述第三漏极端子，所述第六栅极端子耦合至所述第三栅极端子、所述第四栅极端子和所述第一电压源，并且所述第六漏极端子耦合至所述第五漏极端子，

其中，所述第五晶体管和所述第六晶体管在所述第二阱中；并且

所述第二晶体管在与所述第一阱和所述第二阱不同的第三阱中，并且所述第三阱沿所述第一方向与所述第一阱和所述第二阱分离。

6.根据权利要求5所述的电压跟踪电路，其中，所述第四晶体管在所述第二阱中。

7.根据权利要求6所述的电压跟踪电路，其中

所述第一晶体管还包括第一主体端子，所述第一主体端子耦合至所述第一电压源和所述第一源极端子；

所述第二晶体管还包括第二主体端子；

所述第三晶体管还包括第三主体端子；

所述第四晶体管还包括耦合至节点的第四主体端子；

所述第五晶体管还包括第五主体端子；

所述第六晶体管还包括第六主体端子；

所述第三主体端子、所述第四主体端子、所述第五主体端子、所述第六主体端子、所述第五漏极端子和所述第六漏极端子中的每个耦合在一起；并且

所述第二主体端子耦合至节点、所述第二漏极端子和所述第五源极端子。