[发明专利]电压跟踪电路及其操作方法

说明书

本发明的实施例涉及一种电压跟踪电路及其操作方法。该电压跟踪电路包括第一、第二、第三和第四晶体管。第一晶体管在第一阱中，并且包括第一栅极、第一漏极和耦合至第一电压源的第一源极。第二晶体管包括第二栅极、第二漏极和第二源极。第二源极耦合至第一漏极。第二栅极耦合至第一栅极和焊盘电压端子。第三晶体管包括第三栅极、第三漏极和第三源极。第四晶体管包括第四栅极、第四漏极和第四源极。第四漏极耦合至第三源极。第四源极耦合至焊盘电压端子。至少第三晶体管在与第一阱不同的第二阱中，并且沿第一方向与第一阱分离。

技术领域

本发明的实施例涉及一种电压跟踪电路及其操作方法。

背景技术

近期的使集成电路(IC)微型化的趋势已经产生了更小的器件，该更小的器件比之前消耗更低的功率，在更高的速度下提供更多的功能。由于各种因素，诸如更薄的电介质厚度和相关的降低的电介质击穿电压，小型化工艺还增加了器件对静电放电(ESD)事件的敏感度。ESD是电子电路损坏的原因之一，也是半导体先进技术中的考虑因素之一。

发明内容

根据本发明实施例的一个方面，提供了一种电压跟踪电路，包括：第一晶体管，位于第一阱中，第一晶体管包括第一栅极端子、第一漏极端子和第一源极端子，第一源极端子耦合至第一电压源，第一栅极端子耦合至焊盘电压端子并且被配置为接收焊盘电压；第二晶体管，包括第二栅极端子、第二漏极端子和第二源极端子，第二源极端子耦合至第一漏极端子，第二栅极端子耦合至第一栅极端子和焊盘电压端子；第三晶体管，包括第三栅极端子、第三漏极端子和第三源极端子，第三栅极端子耦合至第一电压源；以及第四晶体管，包括第四栅极端子、第四漏极端子和第四源极端子，第四漏极端子耦合至第三源极端子，第四栅极端子耦合至第三栅极端子和第一电压源，并且第四源极端子耦合至焊盘电压端子，其中，至少第三晶体管在与第一阱不同的第二阱中，并且第二阱沿第一方向与第一阱分离。

根据本发明实施例的另一个方面，提供了一种电压跟踪电路，包括：控制逻辑电路；第一晶体管，在第一阱中，第一晶体管包括第一栅极端子、第一漏极端子和第一源极端子，第一源极端子耦合至第一电压源，第一栅极端子耦合至控制逻辑电路并且被配置为接收控制逻辑信号；第二晶体管，包括第二栅极端子、第二漏极端子和第二源极端子，第二源极端子耦合至第一漏极端子，第二栅极端子耦合至第一栅极端子和控制逻辑电路并且被配置为接收控制逻辑信号；第三晶体管，包括第三栅极端子、第三漏极端子和第三源极端子，第三栅极端子耦合至第一电压源；以及第四晶体管，包括第四栅极端子、第四漏极端子和第四源极端子，第四漏极端子耦合至第三源极端子，第四栅极端子耦合至第三栅极端子和第一电压源，并且第四源极端子耦合至焊盘电压端子，其中，至少第三晶体管在与第一阱不同的第二阱中，并且第二阱沿第一方向与第一阱分离。

根据本发明实施例的又一个方面，提供了一种操作焊盘电压跟踪电路的方法，包括：在焊盘电压端子PAD上接收焊盘电压，焊盘电压大于第一电压源的电源电压VDD；至少使耦合至焊盘电压端子的第一组晶体管M2导通，并且使耦合至第一电压源的第二组晶体管截止，第一组晶体管中的第一晶体管在第一阱中，第二组晶体管中的第二晶体管在与第一阱不同的第二阱中；通过第一组晶体管使第一节点与焊盘电压端子电耦合；通过第二组晶体管使第一节点与第一电压源电分离；以及将焊盘电压置于第二组晶体管上。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以最佳地理解本发明的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各种部件没有被按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增加或减少。

图1A是根据一些实施例的集成电路的示意图。

图1B是根据一些实施例的集成电路的截面图。

图2A是根据一些实施例的集成电路的示意图。

图2B是根据一些实施例的集成电路的截面图。

图3A是根据一些实施例的集成电路的电路图。