[发明专利]提升Flash芯片擦除效率的电路和Flash芯片

权利要求书

1.一种提升Flash芯片擦除效率的电路，其特征在于，包括：

紫外线存储单元UV cell；

阈值电压检测电路，用于检测电路检测与紫外线存储单元UV cell的阈值电压成线性关系的电压Vref_op1；

擦除电压调整电路，根据阈值电压检测电路检测到的电压Vref_op1调整施加到紫外线存储单元UV cell上的擦除电压Ver_bulk大小；

通过阈值电压检测电路检测与紫外线存储单元UV cell的阈值电压成线性关系的电压Vref_op1，擦除电压调整电路根据电压Vref_op1调整施加到紫外线存储单元UV cell上的擦除电压Ver_bulk大小，以提高紫外线存储单元UV cell的擦除效率，从而提高Flash芯片的擦除效率；

所述擦除电压调整电路包括第九mos管nm5、第十mos管pm5、第十一mos管nm6、第十二mos管pm6、第一电阻R0、第二电阻R1、第三电阻R2、第四电阻R3、第一开关S0、第二开关S1、第三开关S2、第四开关S3、比较器Buffer、第十三mos管nm7、第十四mos管nm8、第十五mos管nm9、第十六mos管nm10，所述第九mos管nm5的栅极和漏极连接在一起后与第二电流源Iref一端连接，第二电流源Iref另一端连接电源电压VCC，第九mos管nm5的源极接地，第九mos管nm5的栅极与第十一mos管nm6的栅极连接，第十一mos管nm6的源极接地，第十mos管pm5的栅极和源极连接在一起后与第十一mos管nm6的漏极连接，第十mos管pm5的漏极与第十二mos管pm6的漏极连接，第十二mos管pm6的栅极与第十mos管pm5的栅极连接，第十二mos管pm6的源极与第一电阻R0的一端连接，第一电阻R0的另一端与第二电阻R1的一端连接，第二电阻R1的另一端与第三电阻R2一端连接，第三电阻R2另一端与第四电阻R3一端连接，第四电阻R3另一端接地；第一开关S0一端与第一电阻R0一端连接，第一开关S0另一端连接比较器Buffer的负输入端，第二开关S1一端连接第一电阻R0另一端，第二开关S1另一端连接比较器Buffer的负输入端，第三开关S2一端连接第二电阻R1另一端，第三开关S2另一端连接比较器Buffer的负输入端，第四开关S3一端连接第三电阻R2另一端，第四开关S3另一端连接比较器Buffer的负输入端；比较器Buffer的输出端与第十三mos管nm7的栅极连接，第十三mos管nm7的源极接地，第十三mos管nm7的漏极连接第十四mos管nm8的漏极，第十四mos管nm8的源极和栅极连接在一起后与第十五mos管nm9的漏极连接，第十五mos管nm9的栅极和源极连接在一起后与第十六mos管nm10的漏极连接，第十六mos管nm10的栅极和源极连接在一起后接地，第十六mos管nm10的漏极与比较器Buffer的正输入端连接；第十三mos管nm7的漏极处的电压为施加到紫外线存储单元UV cell上的擦除电压Ver_bulk。

2.根据权利要求1所述的提升Flash芯片擦除效率的电路，其特征在于，所述阈值电压检测电路包括第一电流镜模块、第二电流镜模块，所述第一电流镜模块一端与第一电流源Iref1一端连接，第一电流源Iref1另一端连接电源电压VCC，第一电流镜模块另一端与紫外线存储单元UV cell连接，紫外线存储单元UV cell与第二电流镜模块一端连接，第二电流镜模块另一端输出电压Vref_op1。

3.根据权利要求2所述的提升Flash芯片擦除效率的电路，其特征在于，所述第一电流镜模块包括第一mos管nm1、第二mos管nm2、第三mos管pm1、第四mos管pm2，所述第一mos管nm1的栅极和漏极连接在一起后与第一电流源Iref1一端连接，第一mos管nm1的源极接地，第一mos管nm1的栅极与第二mos管nm2的栅极连接，第二mos管nm2的源极接地，第三mos管pm1的栅极和源极连接在一起后与第二mos管nm2的漏极连接，第三mos管pm1的漏极与第四mos管pm2的漏极连接，第四mos管pm2的栅极与第三mos管pm1的栅极连接，第四mos管pm2的源极与紫外线存储单元UV cell的漏极连接，紫外线存储单元UV cell的栅极连接电压Vcg，紫外线存储单元UV cell的源极接地。