[发明专利]提升Flash芯片擦除效率的电路和Flash芯片

说明书

本发明公开了一种提升Flash芯片擦除效率的电路和Flash芯片，通过采用紫外线存储单元作为Flash芯片的存储单元，紫外线存储单元阈值电压分布比传统Flash芯片存储单元阈值电压分布要窄一些，在紫外线存储单元上进行擦写操作之后阈值电压的分布也比传统Flash芯片存储单元阈值电压分布的一致性要好，以提高Flash芯片存储单元一致性；通过阈值电压检测电路检测与紫外线存储单元阈值电压成线性关系的电压Vref_op1，擦除电压调整电路根据电压Vref_op1调整施加到紫外线存储单元上擦除电压大小，根据不同紫外线存储单元的阈值电压自动调整擦除电压，擦除速度得到了提升，擦除的一致性更好。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路技术领域，尤其涉及的是一种提升Flash芯片擦除效率的电路和Flash芯片。

背景技术

Flash芯片中，擦除速度受存储单元上施加的栅体偏压的影响，经实验测试，对单元施加的偏压越大，擦除速度越快。另外，工艺相关的一些因素，例如沟道氧化层厚度、控制栅和浮栅的电容耦合率等也都会影响擦除的速度：实验测试的结果表明，沟道氧化层厚度越薄，擦除速度越快；电容耦合率越大，擦除速度越快。

而受上述因素影响的传统存储单元擦除后VT的分布较宽，导致存储单元的一致性很差。

因此，现有的技术还有待于改进和发展。

发明内容

本发明的目的在于提供一种提升Flash芯片擦除效率的电路和Flash芯片，旨在解决现有的Flash芯片的存储单元因一致性差影响擦除效率的问题。

本发明的技术方案如下：一种提升Flash芯片擦除效率的电路，其中，包括：

紫外线存储单元UV cell；

阈值电压检测电路，用于检测电路检测与紫外线存储单元UV cell的阈值电压成线性关系的电压Vref_op1；

擦除电压调整电路，根据阈值电压检测电路检测到的电压Vref_op1调整施加到紫外线存储单元UV cell上的擦除电压Ver_bulk大小；

通过阈值电压检测电路检测与紫外线存储单元UV cell的阈值电压成线性关系的电压Vref_op1，擦除电压调整电路根据电压Vref_op1调整施加到紫外线存储单元UV cell上的擦除电压Ver_bulk大小，以提高紫外线存储单元UV cell的擦除效率，从而提高Flash芯片的擦除效率。

所述的提升Flash芯片擦除效率的电路，其中，所述阈值电压检测电路包括第一电流镜模块、第二电流镜模块，所述第一电流镜模块一端与第一电流源Iref1一端连接，第一电流源Iref1另一端连接电源电压VCC，第一电流镜模块另一端与紫外线存储单元UV cell连接，紫外线存储单元UV cell与第二电流镜模块一端连接，第二电流镜模块另一端输出电压Vref_op1。

所述的提升Flash芯片擦除效率的电路，其中，所述第一电流镜模块包括第一mos管nm1、第二mos管nm2、第三mos管pm1、第四mos管pm2，所述第一mos管nm1的栅极和漏极连接在一起后与第一电流源Iref1一端连接，第一mos管nm1的源极接地，第一mos管nm1的的栅极与第二mos管nm2的栅极连接，第二mos管nm2的源极接地，第三mos管pm1的栅极和源极连接在一起后与第二mos管nm2的漏极连接，第三mos管pm1的漏极与第四mos管pm2的漏极连接，第四mos管pm2的栅极与第三mos管pm1的栅极连接，第四mos管pm2的源极与紫外线存储单元UV cell的漏极连接，紫外线存储单元UV cell的栅极连接电压Vcg，紫外线存储单元UVcell的源极接地。

所述的提升Flash芯片擦除效率的电路，其中，所述第一mos管nm1和第二mos管nm2采用nmos管，第三mos管pm1和第四mos管pm2采用pmos管。