[发明专利]一种接触电阻等效模型触点温升的测量方法及系统

权利要求书

1.一种接触电阻等效模型触点温升的测量方法，用于测量第一触头与第二触头闭合处的最高温升，其中，所述第一触头包括第一触头本体以及设置于所述第一触头本体的端部的第一触点；第二触头包括第二触头本体以及设置于所述第二触头本体的端部的第二触点，且所述第一触点与所述第二触点闭合设置；

其特征在于，所述接触电阻等效模型触点温升的测量方法包括：

不通电流，加热所述第一触头本体的下底面，得到触头温升变量；

为所述第一触头和所述第二触头通电，测量所述第一触头本体的上表面温升；

基于接触电阻等效模型，根据所述触头温升变量及所述上表面温升，得到所述第一触点与所述第二触点闭合处的最高温升。

2.根据权利要求1所述的接触电阻等效模型触点温升的测量方法，其特征在于，所述不通电流，加热所述第一触头本体的下底面，得到触头温升变量，具体包括：

不通电流时，使用加热装置加热所述第一触头本体的下底面；

待所述第一触头本体的温升达到稳定温升后，测量所述第一触头本体的下底面温升τ_m'和所述第一触头本体的上表面温升τ₀'；

根据所述第一触头本体的下底面温升τ_m'和所述第一触头本体的上表面温升τ₀'，得到触头温升变量α：

其中，h为所述第一触头本体的长度。

3.根据权利要求1所述的接触电阻等效模型触点温升的测量方法，其特征在于，所述接触电阻等效模型包括：触头本体下底面温升等效模型以及触点相对于触头本体下底面的温升等效模型；

所述基于接触电阻等效模型，根据所述触头温升变量及所述上表面温升，得到所述第一触点与所述第二触点闭合处的最高温升，具体包括：

基于所述触头本体下底面温升的等效模型，根据触头的通电电流、所述触头温升变量及所述上表面温升，得到所述第一触头本体的下底面温升；

基于所述触点相对于触头本体下底面的温升等效模型，根据触头的通电电流，得到所述第一触点相对于所述第一触头本体下底面的温升；

根据所述第一触头本体的下底面温升以及所述第一触点相对于所述第一触头本体下底面的温升，得到所述第一触点与所述第二触点闭合处的最高温升。

4.根据权利要求3所述的接触电阻等效模型触点温升的测量方法，其特征在于，所述基于所述触头本体下底面温升的等效模型，根据触头的通电电流、所述触头温升变量及所述上表面温升，得到所述第一触头本体的下底面温升，具体包括：

在所述第一触头本体上取一触头薄片；

根据所述触头薄片、所述触头的通电电流、所述触头温升变量及所述上表面温升，得到所述第一触头本体的下底面温升τ_m：

其中，τ₀为上表面温升；I为触头的通电电流；ρ为触头材料的电阻率；λ为触头材料的热导率；A为触头薄片的面积；α为触头温升变量；h为第一触头本体的长度。

5.根据权利要求3所述的接触电阻等效模型触点温升的测量方法，其特征在于，所述基于所述触点相对于触头本体下底面的温升等效模型，根据触头的通电电流，得到所述第一触点相对于所述第一触头本体下底面的温升，具体包括：

在与所述第一触头本体下底面的距离为x处的第一触点上取一触点薄片；

根据所述触点薄片以及所述触头的通电电流，得到所述触点相对于第一触头本体下底面的温升τ_f：

其中，I为触头的通电电流；R_j为触头的接触电阻；ρ为触头材料的电阻率；λ为触头材料的热导率；L为第一触点的高度；x为触点薄片距第一触头本体的下底面的距离。