[发明专利]一种曝光位置的确定方法及系统

权利要求书

1.一种曝光位置的确定方法，其特征在于，包括以下步骤：

获取芯片尺寸及曝光场尺寸；

根据所述芯片尺寸，确定中心裸片的移动范围以及移动次数；

获取所述中心裸片在移动到每个位置时，晶圆上的芯片总数量，并在所述芯片总数量最大时，将所述中心裸片的位置作为最优中心裸片位置；

根据所述最优中心裸片位置、所述芯片尺寸及所述曝光场尺寸，获取中心曝光场的初始位置、移动范围以及移动次数；

获取所述中心曝光场移动到每个位置时，所述晶圆上的曝光场总数量，且在所述曝光场总数量最少时，将所述中心曝光场的位置作为最优中心曝光场位置；

其中，在获取所述曝光场总数量时，当所述曝光场的曝光场收益小于曝光场成本时，该曝光场不计在所述曝光场总数量中。

2.根据权利要求1所述的一种曝光位置的确定方法，其特征在于，还包括：在所述晶圆上建立坐标轴，所述晶圆的圆心为所述坐标轴的原点，过所述原点设置X轴和Y轴，所述X轴和所述Y轴相互垂直。

3.根据权利要求2所述的一种曝光位置的确定方法，其特征在于，还包括确定所述中心裸片的初始位置，所述中心裸片的初始位置为：

所述中心裸片位于所述坐标轴的第一象限，且所述中心裸片的一侧顶点与所述原点重合，所述中心裸片一边与所述X轴重合，将与所述X轴重合的一边长定义为第一长度，所述中心裸片的另一边与所述Y轴重合，将与所述Y轴重合的另一边长定义为第二长度。

4.根据权利要求3所述的一种曝光位置的确定方法，其特征在于，所述中心裸片的移动范围包括：

所述X轴方向的所述中心裸片的移动范围：所述中心裸片向所述X轴负方向移动，且移动距离小于等于所述第一长度的二分之一；

所述Y轴方向的所述中心裸片的移动范围：所述中心裸片向Y轴负方向移动，且移动距离小于等于所述第二长度的二分之一。

5.根据权利要求2所述的一种曝光位置的确定方法，其特征在于，获取所述晶圆上的芯片总数量的步骤，包括判断多个所述芯片是否在所述晶圆内，其判断方法包括：

当所述芯片位于所述坐标轴的第一象限时，判断所述芯片的最大坐标是否位于所述晶圆内；

当所述芯片位于所述坐标轴的第二象限、第三象限或第四象限时，将所述芯片的坐标镜像翻转到第一象限，获得所述芯片的第一象限镜像坐标，并判断最大的所述第一象限镜像坐标是否在所述晶圆内。

6.根据权利要求1所述的一种曝光位置的确定方法，其特征在于，获取所述曝光场总数量的步骤包括：

在所述中心曝光场周围并排设置多个所述曝光场，多个所述曝光场覆盖所述晶圆；

判断每个所述曝光场是否在所述晶圆内部；

当所述曝光场在所述晶圆内部时，将所述曝光场定义为第一类曝光场，将所述第一类曝光场计在所述曝光场总数量中，并结束流程；

当所述曝光场超出所述晶圆时，将所述曝光场定义为第二类曝光场；

判断所述第二类曝光场中，且位于所述晶圆内的所述芯片的数量是否为零；

当所述芯片的数量为零时，结束流程；

当所述芯片的数量不为零时，获得所述第二类曝光场的所述曝光场成本与所述曝光场收益；

判断所述曝光场收益是否大于所述曝光场成本；

当所述曝光场收益大于所述曝光场成本时，将所述第二类曝光场计在所述曝光场总数量中；

当所述曝光场收益小于等于所述曝光场成本时，结束流程。

7.根据权利要求6所述的一种曝光位置的确定方法，其特征在于，所述曝光场收益通过以下公式获得：

shotprofit=dieprofit*dienum*CP；

其中，shotprofit为所述曝光场收益，dieprofit为单个芯片收益，dienum为第二类曝光场内的芯片数量，CP为芯片良率。