[发明专利]一种确定NAND闪存读取电压的方法及装置

权利要求书

1.一种确定NAND闪存读取电压的方法，包括：

确定样本未完全编程块包含的解码失败的页，其中，所述样本未完全编程块为NAND闪存中含有未被编程的页的块；

根据获取到的所述NAND闪存对应的多个电压组，确定使用每个电压组重读所述解码失败的页时成功解回的页的页数；其中，每个电压组合包括多个读取电压；

根据每个电压组对应的成功解回的页的页数，选择至少一个电压组作为用于读取未完全编程块的读取电压组。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：

根据每个电压组对应的成功解回的页的页数，选择至少一个电压组作为用于读取未完全编程块的读取电压组，包括：

按照每个电压组对应的成功解回的页的页数由高到低的顺序，选择至少一个电压组作为用于读取所述未完全编程块的读取电压组。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

当重读未完全编程块包含的解码失败的页时，使用所述用于读取未完全编程块的读取电压组重读所述解码失败的页。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述选择至少一个电压组作为用于读取所述未完全编程块的读取电压组之后，所述方法还包括：

当选择两个以上电压组作为用于读取未完全编程块的读取电压组时，根据选择的每个电压组对应的成功解回的页的页数，设置每个电压组的优先级，其中，所述优先级与所述成功解回的页的页数正相关。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

当重读未完全编程块包含的解码失败的页时，按照电压组的优先级由高到低的顺序，使用用于读取未完全编程块的读取电压组重读所述解码失败的页。

6.一种确定NAND闪存读取电压的装置，所述装置包括：存储器和处理器；其特征在于：

所述存储器，用于保存用于确定NAND闪存读取电压的程序；

所述处理器，用于读取执行所述用于确定NAND闪存读取电压的程序，执行如下操作：

确定样本未完全编程块包含的解码失败的页，其中，所述样本未完全编程块为NAND闪存中含有未被编程的页的块；

根据获取到的所述NAND闪存对应的多个电压组，确定使用每个电压组重读所述解码失败的页时成功解回的页的页数；其中，每个电压组合包括多个读取电压；

根据每个电压组对应的成功解回的页的页数，选择至少一个电压组作为用于读取未完全编程块的读取电压组。

7.如权利要求6所述的装置，其特征在于：

根据每个电压组对应的成功解回的页的页数，选择至少一个电压组作为用于读取未完全编程块的读取电压组，包括：

按照每个电压组对应的成功解回的页的页数由高到低的顺序，选择至少一个电压组作为用于读取所述未完全编程块的读取电压组。

8.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述处理器，用于读取执行所述用于确定NAND闪存读取电压的程序，还执行如下操作：

所述选择至少一个电压组作为用于读取所述未完全编程块的读取电压组之后，当选择两个以上电压组作为用于读取未完全编程块的读取电压组时，根据选择的每个电压组对应的成功解回的页的页数，设置每个电压组的优先级，其中，所述优先级与所述成功解回的页的页数正相关。

9.如权利要求8所述的装置，其特征在于，所述处理器，用于读取执行所述用于确定NAND闪存读取电压的程序，还执行如下操作：

当重读未完全编程块包含的解码失败的页时，按照电压组的优先级由高到低的顺序，使用用于读取未完全编程块的读取电压组重读所述解码失败的页。

10.一种计算机存储介质，其特征在于，所述存储介质中存储有计算机程序，其中，所述计算机程序被设置为运行时执行所述权利要求1至5中任一所述的确定NAND闪存读取电压的方法。