[发明专利]一种确定NAND闪存读取电压的方法及装置

说明书

本申请提供一种确定NAND闪存读取电压的方法及装置，所述方法包括：确定样本未完全编程块包含的解码失败的页，其中，所述样本未完全编程块为NAND闪存中含有未被编程的页的块；根据获取到的所述NAND闪存对应的多个电压组，确定使用每个电压组重读所述解码失败的页时成功解回的页的页数；其中，每个电压组合包括多个读取电压；根据每个电压组对应的成功解回的页的页数，选择至少一个电压组作为用于读取未完全编程块的读取电压组。上述技术方案可以确定用于读取未完全编程块的读取电压组，通过该读取电压组重读未完全编程块的解码失败的页可以提高重读的效率，从而可以提高NAND闪存的读取效率。

技术领域

本申请涉及但不限于计算机领域，尤其涉及确定NAND闪存读取电压的方法及装置。

背景技术

由于制作工艺或者硬件电气特性的影响，存储在NAND闪存(Nand Flash)中的数据位会发生反转。当前使用NAND闪存的产品中，都会通过解码模块对NAND闪存进行解码，当发生反转的数据量较大并超出硬件纠错模块的纠错能力时，可能就会产生数据丢失。

NAND闪存中的块可能包括两种状态，一种状态是块(Block)中存在未被编程(Program)的页(Page)，这种块称为未完全编程块(Open Block)，另一种状态是块中所有的页均被编程，这种块称为完全编程块(Close Block)。

目前，在选择读取电压对Nand闪存进行数据读取时，通常不区分块的类型，在对所有的块解码失败(ECC Fail)的页进行重读时采用相同的读取方法。但是由于Open Block和Close Block存在较大的差异，使得重读效果不理想。

发明内容

本申请所要解决的技术是提供一种确定NAND闪存读取电压的方法及装置，可以确定用于读取未完全编程块的读取电压组，从而提高NAND闪存的读取效率。

为了解决上述技术问题，本申请提供了一种确定NAND闪存读取电压的方法，包括：

确定样本未完全编程块包含的解码失败的页，其中，所述样本未完全编程块为NAND闪存中含有未被编程的页的块；

根据获取到的所述NAND闪存对应的多个电压组，确定使用每个电压组重读所述解码失败的页时成功解回的页的页数；其中，每个电压组合包括多个读取电压；

根据每个电压组对应的成功解回的页的页数，选择至少一个电压组作为用于读取未完全编程块的读取电压组。

在一种示例性实例中，根据每个电压组对应的成功解回的页的页数，选择至少一个电压组作为用于读取未完全编程块的读取电压组，包括：

按照每个电压组对应的成功解回的页的页数由高到低的顺序，选择至少一个电压组作为用于读取所述未完全编程块的读取电压组。

在一种示例性实例中，所述方法还包括：

当重读未完全编程块包含的解码失败的页时，使用所述用于读取未完全编程块的读取电压组重读所述解码失败的页。

在一种示例性实例中，所述选择至少一个电压组作为用于读取所述未完全编程块的读取电压组之后，所述方法还包括：

当选择两个以上电压组作为用于读取未完全编程块的读取电压组时，根据选择的每个电压组对应的成功解回的页的页数，设置每个电压组的优先级，其中，所述优先级与所述成功解回的页的页数正相关。

在一种示例性实例中，所述方法还包括：

当重读未完全编程块包含的解码失败的页时，按照电压组的优先级由高到低的顺序，使用用于读取未完全编程块的读取电压组重读所述解码失败的页。

本申请还提供一种确定NAND闪存读取电压的装置，所述装置包括：存储器和处理器；