[发明专利]晶片取放装置

说明书

本公开提供一种晶片取放装置，包括夹持区和晶片区，夹持区和晶片区在厚度方向上均包括顶板和底板，其中，夹持区用于抓握并移动晶片取放装置；晶片区，设置有凸出于顶板的限位柱，用于限制晶片在长度方向或宽度方向的移动；晶片区的顶板上设置有气孔以及与气孔连通的线槽，用于传输并排出气体以抬升晶片。本公开的晶片清洗装置利用气体托举晶片，使晶片不与晶片取放装置有接触，避免晶片取放装置因接触晶片背面造成机械损伤，不影响晶片的使用及晶片清洗结构的改变，在移动晶片过程中防止机械运动过程中产生的震动对晶片造成损伤。

技术领域

本公开涉及半导体晶片加工领域，尤其涉及一种晶片取放装置。

背景技术

GaAs为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料由于其独特的电学性能，在卫星通讯、微波器件、激光器及发光二极管领域有着十分广泛的应用。目前， Ge、GaAs、InP或GaP的化合物半导体晶圆，其装载盒都是单片圆盒或者25 片装的晶舟。4寸晶舟晶片间的间隔为4～4.5mm。自动化操作过程中要用到取片手指，因晶舟存放量大，晶片间隔小，这就要求取片手指要做得薄而且不能变型，对手指平面的平整度要求高。如果有变型会影响取片效果，使用自动化的机械手通常采用真空吸附来达到取放片效果。真空吸附使用在LED 单面抛光及背面要求不高的晶片上使用。

随着对晶片双抛表面的洁净度要求越来越高，及晶片背面开发工艺的不断提升洁净度的要求也随之提高。现有的真空吸附方式已成为一种对晶片背面的伤害。吸附后会对晶片背面出现印痕、脏、损伤等缺陷，虽然可以通过调整真空压力减少背面影响，但不能完全解决。

发明内容

鉴于现有技术存在的缺陷，本公开的目的在于提供一种晶片取放装置，其能实现无接触式取片，有效解决取片时对晶片背面的影响。

本公开提供一种晶片取放装置，包括夹持区和晶片区，夹持区和晶片区在厚度方向上均包括顶板和底板，其中，夹持区用于抓握并移动晶片取放装置；晶片区，设置有凸出于顶板的限位柱，用于限制晶片在长度方向或宽度方向的移动；晶片区的顶板上设置有气孔以及与气孔连通的线槽，用于传输并排出气体以抬升晶片。

在一些实施例中，限位柱包括固定限位柱和活动限位柱。

在一些实施例中，活动限位柱设置于晶片区的头部；活动限位柱在无气体驱动时缩入顶板内，在气体驱动时凸出于顶板。

在一些实施例中，晶片区的底板上对应于活动限位柱的位置设置有向活动限位柱凸出的顶针。

在一些实施例中，限位柱凸出顶板的高度为1.5mm。

在一些实施例中，晶片区在宽度方向的中间区域设置有沿长度方向的开放槽。

在一些实施例中，线槽包括主线槽和分支线槽，主线槽从夹持区沿长度方向延伸到晶片区；分支线槽连接于主线槽并延伸至晶片区的边缘。

在一些实施例中，气孔与分支线槽连通。

在一些实施例中，活动限位柱与分支线槽连通。

在一些实施例中，晶片取放装置在宽度方向上为对称结构。

本公开的有益效果如下：本公开的晶片清洗装置利用气体托举晶片，使晶片不与晶片取放装置有接触，避免晶片取放装置因接触晶片背面造成机械损伤，不影响晶片的使用及晶片清洗结构的改变，在移动晶片过程中防止机械运动过程中产生的震动对晶片造成损伤。

附图说明

图1是根据本公开的晶片取放装置的顶板的结构示意图。

图2是根据本公开的晶片取放装置的侧视图。

图3是根据本公开的取放装置的顶板的立体结构示意图。

图4是根据本公开的晶片取放装置移动晶片至清洗盘上的立体结构示意图。