[发明专利]一种沉积装置及系统

说明书

本发明提供了一种沉积装置及系统，包括：多个喷射组件、与所述喷射组件电气连接的电源模块、以及可移动配置在所述喷射组件下方用于放置衬底的载台；其中，每一所述喷射组件包括沿第一方向排列的第一喷射源、隔离组件、解离喷射源；所述第一喷射源；用于喷射金属化合物；所述解离喷射源；用于喷射等离子体气体；所述隔离组件；配置在所述第一喷射源和所述解离喷射源之间，用于分隔所述第一喷射源和所述解离喷射源。解决了现有空间原子沉积系统沉积的薄膜质量差、速率低的问题。

技术领域

本发明涉及半导体领域，特别涉及一种沉积装置及系统。

背景技术

现有的空间原子沉积系统中，一般是将衬底置于喷头下方移动，以实现喷头喷射出来的物质在衬底上发生反应，在空间原子沉积系统会多次间隔配置氧化前驱体和金属前驱体，其氧化前驱体通常直接采用水的喷头，衬底在移动的过程中与水发生反应，具体地，液态水储存于源瓶中，利用其饱和蒸汽压的特性，将水蒸汽带进喷头喷出，可以看出水是完整的H2O单质，其空间遮蔽大，会遮蔽一些衬底上的反应配位点，导致在衬底上沉积的薄膜质量差、速率低。

有鉴于此，提出本申请。

发明内容

本发明公开了一种沉积装置及系统，旨在解决现有空间原子沉积系统沉积的薄膜质量差、速率低的问题。

本发明第一实施例提供了一种沉积装置，包括：多个喷射组件、与所述喷射组件电气连接的电源模块、以及可移动配置在所述喷射组件下方用于放置衬底的载台；

其中，每一所述喷射组件包括沿第一方向排列的第一喷射源、隔离组件、解离喷射源；

所述第一喷射源；用于喷射金属化合物；

所述解离喷射源；用于喷射等离子体气体；

所述隔离组件；配置在所述第一喷射源和所述解离喷射源之间，用于分隔所述第一喷射源和所述解离喷射源。

优选地，所述第一喷射源包括金属化合物喷射腔体、配置在所述金属化合物喷射腔体内部的金属化合物喷射管路；

其中，所述金属化合物喷射腔体的底部设置有第一喷射口，所述金属化合物喷射管路的第一端连接至所述第一喷射口，所述金属化合物喷射管路的第二端用于连接金属化合物源。

优选地，所述解离喷射源包括：解离腔体、配置在所述解离腔体内的中枢电极；

其中，所述中枢电极与所述电源模块电气连接，所述解离腔体的侧壁设置有开口、所述解离腔体的底部设置有第二喷射口；

其中，所述开口与所述解离腔体连通且开设在所述中枢电极的下方，所述开口用于管路连接至待解离气源。

优选地，还包括：镶嵌在所述解离腔体内的绝缘体；

其中，所述中枢电极镶嵌在绝缘体内。

优选地，所述隔离组件包括：第一抽气管路、第二抽气管路、以及喷气腔体；

其中，所述第一抽气管路配置在所述喷气腔体和所述解离腔体之间，所述第二抽气管路配置在所述喷气腔体和所述金属化合物喷射腔体之间；

其中，所述喷气腔体的底部设置有第三喷射口，所述第三喷射口用于管路连接至惰性气源。

优选地，所述喷射组件与所述载台之间的间距为0.3mm～3mm。

本发明第二实施例提供了一种沉积系统，包括如上任意一项所述的一种沉积装置，及待解离气源、惰性气源、金属化合物源及抽气装置，其中，所述待解离气源与所述解离喷射源的输入端连接，所述惰性气源所述隔离组件的输入端连接，所述抽气装置与所述隔离组件的输出端连接，所述金属化合物源与所述第一喷射源连接。

优选地，所述抽气装置为干式泵。