[发明专利]半导体器件制造方法及电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括：

提供器件衬底，所述器件衬底包括分立的第一部件和第二部件以及贯穿所述第一部件的多个第一释放孔；

提供第一载体衬底，在所述第一载体衬底上形成至少用于与所述第一部件连接的金属布线层；

在所述第一载体衬底上形成第二载体衬底；

去除所述第一载体衬底；

将所述第二载体衬底键合到所述器件衬底上；

解键合去除所述第二载体衬底。

2.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述金属布线层还用于与所述第二部件连接。

3.根据权利要求2所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述金属布线层包括连接所述第二部件与所述第一部件的悬浮连接线。

4.根据权利要求2所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述第二部件包括承载衬底和位于所述承载衬底上的支撑部；所述金属布线层位于所述支撑部上。

5.根据权利要求4所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述第一载体衬底包括第一区、第二区和第三区，第一区的金属布线层用于与所述第一部件连接，第二区的金属布线层用于与所述第二部件连接，第三区的金属布线层连接第一区和第二区的金属布线层；

在形成所述金属布线层之前，还包括：

在所述第一载体衬底上形成初始牺牲层，对所述初始牺牲层进行图形化处理形成牺牲层，所述牺牲层至少暴露出所述第一载体衬底的第一区和第二区；

在所述第一载体衬底和牺牲层上形成刻蚀停止层，所述刻蚀停止层覆盖第一区和第二区的第一载体衬底，且至少部分位于第三区的所述牺牲层的表面。

6.根据权利要求5所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述金属布线层形成在所述刻蚀停止层上。

7.根据权利要求6所述的半导体器件制造方法，其特征在于，在所述第一载体衬底上形成临时键合膜，所述临时键合膜覆盖所述牺牲层和所述金属布线层，所述第二载体衬底通过所述临时键合膜键合到所述第一载体衬底上。

8.根据权利要求7所述的半导体器件制造方法，其特征在于，去除所述第一载体衬底之后，还包括：在所述刻蚀停止层上形成永久键合膜，所述永久键合膜至少部分位于与第一载体衬底的第一区和第二区相对的第二载体衬底的表面；通过所述永久键合膜将所述第二载体衬底键合到所述器件衬底上后，所述永久键合膜部分位于所述第一部件上，以至少对部分所述第一释放孔进行封孔。

9.根据权利要求8所述的半导体器件制造方法，其特征在于，在去除所述第二载体衬底之后，还包括：去除所述牺牲层。

10.根据权利要求9所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述第一部件为可动部件，第二部件为固定部件，所述第一部件在制造出的半导体器件中相对所述第二部件可动。

11.根据权利要求10所述的半导体器件制造方法，其特征在于，提供的所述器件衬底还具有第一牺牲件和第二牺牲件，所述第一部件的部分区域通过所述第一牺牲件固定连接到所述第二部件上，所述第一部件与所述第二部件之间的其余间隙被所述第二牺牲件填充；

所述半导体器件制造方法还包括：在将所述永久键合膜键合到所述第一部件上之前，先至少通过所述第一释放孔去除所述第二牺牲件，并使得所述第一牺牲件保持所述第一部件与所述第二部件之间的固定连接；以及，在将所述永久键合膜键合到所述第一部件上之后且在解键合去除所述第二载体衬底之前或之后，去除所述第一牺牲件。