[发明专利]半导体器件制造方法及电子装置

说明书

本发明公开一种半导体器件制造方法及电子装置，包括：提供器件衬底，器件衬底包括分立的第一部件和第二部件以及贯穿第一部件的多个第一释放孔；提供第一载体衬底，在第一载体衬底上形成至少用于与第一部件连接的金属布线层；在第一载体衬底上形成第二载体衬底；去除第一载体衬底；将第二载体衬底键合到器件衬底上；解键合去除第二载体衬底。通过在第一载体衬底上完成金属布线层工艺，最后通过解键合工艺将金属布线层转移到器件衬底上，可以避免直接在器件衬底上实施布线工艺而带来的工艺难度；通过解键合工艺去除第二载体衬底，避免了去除第二载体衬底时对器件衬底的内空腔所造成的影响，保证了器件的性能。

技术领域

本发明涉及电子产品的模组组装技术领域，特别涉及一种半导体器件制造方法及电子装置。

背景技术

现有的一些特殊应用的半导体器件的制作过程中，需要在可动部件上组装有源元件，这种情况下，通常需要在去除可动部件与固定部件的牺牲材料之前先进行金属布线工艺，待牺牲材料被释放后，可以利用所布设的金属线实现固定部件和可动部件之间的电性连接等。

但在可动部件上进行金属布线时，当存在较大尺寸的金属结构(例如焊盘pad)时，该金属结构会侵占可动部件上释放孔的分布空间，对牺牲材料的释放造成困难。因此，如何简化金属布线工艺并降低布线成本，已成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。

公开于本发明背景技术部分的信息仅仅旨在加深对本发明的一般背景技术的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。

发明内容

本发明的目的提供一种半导体器件制造方法及电子装置，至少解决在器件衬底上进行金属布线的工艺难度的技术问题。

为实现上述目的，本发明提出了一种半导体器件制造方法，包括：

提供器件衬底，所述器件衬底包括分立的第一部件和第二部件以及贯穿所述第一部件的多个第一释放孔；

提供第一载体衬底，在所述第一载体衬底上形成至少用于与所述第一部件连接的金属布线层；

在所述第一载体衬底上形成第二载体衬底；

去除所述第一载体衬底；

将所述第二载体衬底键合到所述器件衬底上；

解键合去除所述第二载体衬底。

本发明还提供一种电子装置，包括以上所述的半导体器件制造方法所形成的半导体器件。

本发明的有益效果在于：

通过在第一载体衬底上完成金属布线层工艺，并通过键合工艺将金属布线层转移到第二载体衬底上，最后通过解键合工艺将金属布线层转移到器件衬底上，因此可以避免直接在器件衬底上实施布线工艺而带来的工艺难度，降低成本，并通过解键合工艺去除第二载体衬底，避免了去除第二载体衬底时对器件衬底的内空腔所造成的影响，保证了器件的性能。

进一步的，在临时键合膜与永久键合膜之间形成刻蚀停止层和牺牲层，避免了临时键合膜和永久键合膜直接接触导致的难以解键合的技术问题。

进一步的，通过在第二载体衬底上制作永久键合膜，并通过键合工艺将永久键合膜转移到器件衬底的第一部件上，以对第一部件的至少部分释放孔进行封孔，由此避免了直接在第一部件上形成封孔薄膜时导致第一部件锁死以及封孔材料或显影液进入半导体器件内部的风险。

进一步的，通过在第二载体衬底上形成金属布线层和永久键合膜，并通过键合工艺将金属布线层和永久键合膜转移到第一部件上，因此可以在第一部件上同时实现金属布线和释放孔封孔操作。

进一步的，在两衬底键合之前先对器件衬底上的大部分牺牲材料进行释放，因此避免了在器件衬底上释放牺牲材料时需要对金属布线层进行保护所带来的工艺难度。